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化学合成

ハロゲン化物のInCl3およびGaCl3は、有機金属、アルコキシド、アルキルアミドなど、他の多くのインジウムおよびガリウム化合物の合成に便利な出発物質です。強力なルイス酸であるInCl3およびGaCl3は、第15族、第16族、または第17族のドナー原子を含む非荷電またはアニオン性配位子と相互作用することにより、多数の配位化合物を形成します。また、インジウムおよびガリウム誘導体製品の構築に有用な、その他のインジウムおよびガリウム化合物も数多く提供しています。

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概要

合成を成功させるには、当社の製品によって提供される、実証済みの信頼できる材料特性を持つ材料が必要である。

当社の化合物を使用してインジウムおよびガリウム化合物系を探索するために、既知の前駆体材料で反応を制御します。弊社は高純度の製品を供給し、選択された不純物に関するお客様の特定の要件に対応します。また、金属濃度が様々なレベルの塩化インジウム溶液や、様々な水和物も供給しています。

メリット

To unlock novel material properties in materials innovation, you need precursor materials with reliable properties and controlled impurities

投入材料の品質

Taking effects from impurities out of the equation lets you focus on reaction mechanisms and conditions.

膨大な数の配位化合物

The coordination and solution chemistry of indium and gallium offers an amazing variety of options for materials innovation. As group 13 elements, indium and gallium form a range of coordination compounds, which can in turn interact with one, two, or three ligands that can be neutral or anionic.

塩化物など

Indium Chlorides and Gallium chloride have been most popular for chemical synthesis work, but we also provide a wide array of additional compounds that can act as indium and gallium precursors in your reactions.