Chủ đề tuần này là wafer bumping và đế bumping bằng kem hàn, và vấn đề về kích thước bột. Gần đây tôi đã giải quyết một số vấn đề từ khách hàng quan tâm đến câu hỏi "tôi cần hạt bột hàn nhỏ đến mức nào để đạt được chiều cao hoặc đường kính bump nhất định"? Có một số "quy tắc chung" về vấn đề này trong ngành lắp ráp điện tử và tôi sẽ đề cập đến chúng sau. Trong bài đăng tiếp theo, tôi sẽ chỉ ra lý do tại sao chúng có thể không liên quan hoặc không phù hợp với quy trình wafer bumping tiêu chuẩn.
Trước hết: có rất nhiều cách tạo lớp hàn trong một hệ số hình dạng nhỏ, và in kem hàn vẫn là một trong những cách đáng tin cậy nhất, mặc dù năng suất giảm đáng kể ở bước sóng dưới 120 micron (một số người nói là 100 micron).
Nếu bạn đang in kem hàn bằng giấy nến, có hai nguyên tắc hướng dẫn sau:
1/ Quy tắc của Sbiroli : Chiều rộng của lỗ mở khuôn phải là 7 hạt hoặc lớn hơn. Với từ “hạt”, chúng tôi thiên về sự thận trọng và đề cập đến đường kính hạt được kiểm soát cao nhất. Ví dụ, trong trường hợp bột nhão loại 3, thì sẽ vào khoảng 45 micron, mặc dù bạn nên tham khảo bài đăng trước của tôi về chủ đề chuẩn hóa kích thước bột (đối với loại 5,6,7, v.v.) và tình trạng kém của nó.
2/ Quy tắc Anglin : Bạn không nên vượt quá tỷ lệ khẩu độ là 1,6. Tỷ lệ khẩu độ là thước đo diện tích thành khẩu độ so với “diện tích mở”. Như tôi đã trình bày trong bài đăng trước, quy tắc này bắt nguồn từ các cân nhắc về kiểu lớp ranh giới của việc giải phóng khỏi thành khuôn bằng vật liệu kem hàn giả dẻo/thixotropic.
Còn nếu bạn KHÔNG in lưới thì sao? Quy trình “lái xe vào” của Flip Chip International (FCI) , sử dụng mặt nạ ảnh đã phát triển như một loại lưới “in situ” cho kem hàn, cho phép in 5 hoặc 6 nét bằng cách sử dụng một miếng gạt mềm để đảm bảo rằng mỗi lỗ đều được lấp đầy. Không có vấn đề gì ở đây với việc nhả lưới, vậy chúng ta phải làm thế nào để nghĩ về kích thước hạt cần thiết trong quy trình này và các quy trình tương tự? Tôi nghĩ tôi có câu trả lời: nhiều hơn vào lần tới.
Chúc vui vẻ!
Anh Andy
