Liên quan đến việc hàn hoặc làm ướt (phủ) bằng indi, chúng tôi thường được yêu cầu bình luận về sự hình thành oxit của indi và cách loại bỏ nó. Chúng tôi cũng được hỏi mất bao lâu để oxit tái tạo trên bề mặt. Quy trình dưới đây sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về indi oxit, cách loại bỏ nó và cách xử lý nó sau khi đã loại bỏ nó.
Indi có khả năng tự thụ động. Ở nhiệt độ phòng, lớp oxit hình thành trên bề mặt indi sẽ dày từ 80-100 Angstrom. Nhìn chung, lượng oxit này không được coi là đáng kể để cản trở quá trình làm ướt indi trên chất nền, đặc biệt là nếu sử dụng chất trợ dung. Ngay cả khi không sử dụng chất trợ dung, indi cũng không gặp khó khăn gì khi tạo mối nối hoặc phủ lên bề mặt.
Nếu ứng dụng yêu cầu mối hàn không có oxit và không thể sử dụng chất trợ dung, oxit indi có thể dễ dàng được loại bỏ bằng cách thực hiện theo các bước sau:
· Làm sạch indi bằng cồn isopropyl hoặc axeton để loại bỏ mọi chất hữu cơ trên bề mặt. Để khô.
· Khắc indi trong 10% HCl trong 1 phút để loại bỏ oxit bề mặt.
· Rửa sạch indi trong nước DI để loại bỏ axit.
· Rửa sạch indi bằng cồn isopropyl hoặc axeton để loại bỏ nước.
· Sấy khô bằng nitơ khô hoặc để khô tự nhiên.
Trong khi quy trình khắc này sẽ loại bỏ các oxit, nó cũng mở ra một bề mặt hoàn toàn mới trên indi dễ bị oxy hóa. Nhìn chung, quá trình hình thành oxit sẽ bắt đầu trên bề mặt indi mới khắc ngay khi tiếp xúc với không khí. Lúc này, độ dày của lớp oxit là từ 30-40 Angstrom. Sau 2-3 ngày tiếp xúc với không khí, oxit đạt đến độ dày thụ động là 80-100 Angstrom.
Ghi chú:
Indi có khả năng hàn lạnh độc đáo với chính nó khi các oxit đã được loại bỏ. Trong quá trình khắc, phải cẩn thận để giữ các đơn vị indi tách biệt nhau để chúng không dính vào nhau. Nếu chúng dính vào nhau, sẽ rất khó để tách chúng ra mà không làm biến dạng indi.
Nếu indi đã khắc không sử dụng ngay, nên bảo quản trong hộp khô chứa nitơ. Ngoài ra, có thể ngâm indi đã khắc trong axeton sạch để tránh tiếp xúc với không khí.
