Compostos de gálio
Acetilacetonato de gálio
Gallium acetylacetonate (Ga(acac)3) is an organic compound. Technically, it represents an organometallic coordination complex with gallium at the center, surrounded by three acetylacetonate ligands. When heated in the presence of oxygen, gallium acetylacetonate decomposes into gallium oxide (Ga2O3). This property makes Ga(acac)3 a useful precursor for growing highly pure and uniform Ga2O3 thin films on substrates such as glass and silicon. Ga(acac)3 is used in the production of quantum dots like Ga2S3, GaAs, GaP, and GaInP.
Desenvolvido por Indium Corporation
- Termicamente estável e decompõe-se a temperaturas mais elevadas em comparação com a TMG
- Ga(acac)3 Is Not Pyrophoric Like TMG, Making It Safer to Handle
- Solúvel em solventes orgânicos
Visão geral do produto
O acetilacetonato de gálio, com a fórmula química Ga(C₅H₇O₂)₃, é um pó cristalino branco caracterizado pela sua estrutura cristalina monoclínica. O composto, que é embalado em frascos de vidro âmbar para proteger a sua integridade, está disponível em quantidades de 0,5 kg e 1,0 kg.
| Imóveis | Valor |
|---|---|
| Fórmula química | Ga(C₅H₇O₂)₃ |
| Peso molecular | 367.05g/mol |
| Densidade (a granel) | 1.42g/cm³ |
| Ponto de fusão | 196-198°C |
| Estrutura cristalina | Monoclínico |
| Pureza | 4N (99.99%) |
| Teor de gálio (teórico) | 19% |
| Solubilidade | Solúvel em solventes orgânicos, insolúvel em água |
Caraterísticas
19%
The theoretical gallium percentage in Ga(acac)3 is 19%.
Monoclínico
The monoclinic crystal structure of Ga(acac)3 is a distinctive feature that influences its reactivity and applications in material science.
300°C
Ga(acac)3 will start decomposing into gallium oxide at around 300°C.
3,3 eV
Gallium sulfide (Ga2S3) quantum dots have a band gap of 3.3eV, making them suitable for blue color emission. Ga(acac)3 reacts with sulfur to synthesize gallium sulfide (Ga2S3) quantum dots.
Fichas de dados do produto
Acetilacetonato de gálio PDS 100109 R0.pdf
Aplicações relacionadas
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Achieve efficient and high-quality thin film deposition.
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