Compostos de gálio
Óxido de gálio
O óxido de gálio (Ga₂O₃), também conhecido como óxido de gálio (III) ou sesquióxido de gálio, é um material semicondutor avançado de banda larga, reconhecido pelo seu potencial para melhorar a eletrónica de potência, a optoeletrónica e os dispositivos de alta frequência. Um fornecimento fiável e de alta qualidade deste semicondutor é crucial e, com anos de experiência no setor do gálio, a Indium Corporation é a escolha preferida dos clientes que procuram produtos e serviços de qualidade superior.
Desenvolvido por Indium Corporation
- Pureza e qualidade superiores
- Grande volume e abastecimento fiável
- Décadas de experiência
Caraterísticas
4,8 eV
O Ga₂O₃ está a ganhar destaque como semicondutor de banda proibida ultra-larga (~ 4,8 eV) na eletrónica de potência.
74.39%
74,39 % é a percentagem teórica de gálio no óxido de gálio.
Fase B
A fase β do óxido de gálio é a forma mais estável e mais utilizada, razão pela qual constitui a estrutura principal na maioria das aplicações comerciais.
Produtos de óxido de gálio
O nosso óxido de gálio (III) é um pó branco de elevada pureza, apresentando-se principalmente na fase β, conforme confirmado por difração de raios X (XRD). Este composto tem um grau de pureza de 99,99% (4N) e está disponível em várias distribuições granulométricas, de modo a satisfazer as necessidades específicas da indústria. É também embalado em garrafas de PE, baldes de plástico ou tambores, dependendo das quantidades solicitadas.
| Imóveis | Tetracloreto de germânio |
|---|---|
| Aparência | Pó branco |
| Ponto de fusão | 1900°C |
| Densidade (Material) | 6,44 g/cm³ |
| Densidade (aparente) | 0,7 g/cm³ |
| Solubilidade | Solúvel em álcalis fortes e ácidos quentes; insolúvel em água |
| Teor teórico de gálio | 74.39% |
Aplicações relacionadas
O óxido de gálio é adequado para as seguintes aplicações.
Síntese química
Compostos de índio e gálio para síntese química…
Mercados relacionados
O óxido de gálio desempenha um papel significativo no mercado dos semicondutores, particularmente na produção de pastilhas de Ga₂O₃ através de métodos como o crescimento de película com alimentação pela borda (EFG) e o método Czochralski (CZ). É também crucial para o fabrico de alvos de pulverização, tais como IGZO ou GIZO, que são essenciais para ecrãs de próxima geração que requerem altas correntes e densidades de píxeis. O GIZO, com as suas propriedades superiores, permite a deposição de canais ativos de alta mobilidade em transístores de película fina no backplane de matriz ativa do ecrã.
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