Produits Composés Oxyde de gallium

Oxyde de gallium

L'oxyde de gallium (Ga₂O₃), également appelé oxyde de gallium (III) ou sesquioxyde de gallium, est un matériau semi-conducteur de pointe à large bande interdite, reconnu pour son potentiel d'amélioration dans les domaines de l'électronique de puissance, de l'optoélectronique et des dispositifs à haute fréquence. Un approvisionnement fiable et de haute qualité en ce semi-conducteur est essentiel, et forte de ses nombreuses années d'expertise dans le domaine du gallium, Indium Corporation est le choix privilégié des clients à la recherche d'une qualité de produit et d'un service haut de gamme.

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Vue microscopique de nombreuses bactéries en forme de bâtonnets, densément dispersées sur un fond gris.
Icône vert foncé comportant des formes stylisées et un point, sur un fond circulaire blanc.

4,8 eV

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74.39%

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phase B

PropriétéTétrachlorure de germanium
ApparencePoudre blanche
Point de fusion1900°C
Densité (matériau)6,44 g/cm³
Densité (apparente)0,7 g/cm³
SolubilitéSoluble dans les alcalis forts et les acides chauds, insoluble dans l'eau
Teneur théorique en gallium74.39%

Applications connexes

L'oxyde de gallium convient aux applications suivantes.

Liaisons moléculaires illustrant la synthèse chimique

Synthèse chimique

Composés d'indium et de gallium destinés à la synthèse chimique…

Marchés connexes

L'oxyde de gallium joue un rôle important sur le marché des semi-conducteurs, notamment dans la production de plaquettes de Ga₂O₃ par des procédés tels que la croissance de film à alimentation par le bord (EFG) et le procédé Czochralski (CZ). Il est également essentiel à la fabrication de cibles de pulvérisation telles que l'IGZO ou le GIZO, indispensables aux écrans de nouvelle génération nécessitant des courants élevés et des densités de pixels élevées. Le GIZO, grâce à ses propriétés supérieures, permet le dépôt de canaux actifs à haute mobilité dans les transistors à couche mince situés sur le plan de fond de matrice active de l'écran.

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