Gallium-Verbindungen
Gallium-Oxid
Galliumoxid (Ga₂O₃), auch bekannt als Gallium(III)-oxid oder Galliumsesquioxid, ist ein fortschrittliches Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das für sein Potenzial zur Verbesserung von Leistungselektronik, Optoelektronik und Hochfrequenzgeräten bekannt ist. Eine zuverlässige, qualitativ hochwertige Versorgung mit diesem Halbleiter ist von entscheidender Bedeutung, und mit jahrelanger Erfahrung im Bereich Gallium ist Indium Corporation die bevorzugte Wahl für Kunden, die erstklassige Produktqualität und Service wünschen.
Angetrieben von der Indium Corporation
- Höchste Reinheit und Qualität
- Großes Volumen und zuverlässige Versorgung
- Jahrzehntelange Erfahrung
Eigenschaften
4,8 eV
Ga2O3 gewinnt als Halbleiter mit extrem breiter Bandlücke (~ 4,8 eV) in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung.
74.39%
74,39 % ist der theoretische Galliumanteil im Galliumoxid.
B-Phase
Die β-Phase von Galliumoxid ist die stabilste und am häufigsten verwendete Form, weshalb sie in den meisten kommerziellen Anwendungen die Hauptstruktur darstellt.
Gallium-Oxid-Produkte
Unser Gallium(III)-oxid ist ein hochreines weißes Pulver, das hauptsächlich in der β-Phase vorliegt, was durch Röntgenbeugung (XRD) bestätigt wird. Diese Verbindung hat einen Reinheitsgrad von 99,99% (4N) und ist in einer Vielzahl von Partikelgrößenverteilungen erhältlich, die den spezifischen Anforderungen der Industrie entsprechen. Außerdem wird es je nach Mengenbedarf in PE-Flaschen, Kunststoffeimern oder Fässern verpackt.
| Eigentum | Germaniumtetrachlorid |
|---|---|
| Erscheinungsbild | Weißes Pulver |
| Schmelzpunkt | 1900°C |
| Dichte (Material) | 6,44 g/cm³ |
| Dichte (scheinbar) | 0,7 g/cm³ |
| Löslichkeit | Löslich in starken Laugen und heißen Säuren, unlöslich in Wasser |
| Theoretischer Galliumgehalt | 74.39% |
Verwandte Anwendungen
Galliumoxid eignet sich für die unten aufgeführten Anwendungen.
Chemische Synthese
Indium and gallium compounds for chemical synthesis…
Verwandte Märkte
Galliumoxid spielt eine wichtige Rolle auf dem Halbleitermarkt, insbesondere bei der Herstellung von Ga₂O₃-Wafern durch Verfahren wie Edge-Fed Film Growth (EFG) und Czochralski (CZ). Sie ist auch entscheidend für die Herstellung von Sputtertargets wie IGZO oder GIZO, die für Displays der nächsten Generation, die hohe Ströme und Pixeldichten erfordern, unerlässlich sind. GIZO mit seinen überlegenen Eigenschaften ermöglicht die Abscheidung hochbeweglicher aktiver Kanäle in Dünnschichttransistoren auf der Aktivmatrix-Backplane des Displays.
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