Applications Thermal Evaporation and PVD Coating

Thermische Verdampfung und PVD-Beschichtung

Thermisches Aufdampfen und physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) sind zwei Verfahren, mit denen dünne Schichten und Beschichtungen auf verschiedene Substrate aufgebracht werden. Die Reinheit des Ausgangsmaterials ist ebenso entscheidend wie die Beschichtungsausrüstung. Die Indium Corporation liefert hochwertige Materialien, insbesondere Indium und Gallium, speziell für die Elektronik- und Halbleiterindustrie. Darüber hinaus bieten wir einen erfahrenen technischen Support, der Sie bei der Optimierung Ihres PVD-Prozesses unterstützt.

Drei metallische Indiumstäbe mit reflektierenden Oberflächen auf einem dunklen Hintergrund.

Erzielen Sie hohe Qualität und Effizienz bei der Dünnschichtabscheidung

Thermische Verdampfung und PVD sind beides Techniken für die Abscheidung dünner Schichten, die jeweils unterschiedliche Methoden verwenden. Diese Verfahren sind in verschiedenen Branchen wie der Elektronik-, Automobil- und Luftfahrtindustrie von entscheidender Bedeutung. Um eine effektive und effiziente thermische Verdampfung zu gewährleisten, sind hochreine Metalle und Legierungen für die Herstellung hochwertiger Dünnschichten unerlässlich. Die Indium Corporation ist die bevorzugte Wahl für unsere Kunden, dank unserer fortschrittlichen Materialien, unserem unerschütterlichen Engagement für Qualität und unserem hervorragenden technischen Support.

Verbessern Sie Ihre Dünnschichtabscheidung mit den erstklassigen Materialien und dem Fachwissen der Indium Corporation

Fortschrittliche Materialien

Wir sind stolz darauf, erstklassige Metalle, Legierungen und Verbindungen zu liefern, die eine hervorragende Qualität bei der Dünnschichtabscheidung gewährleisten.

Indium Exzellenz

Indium und seine Verbindungen, insbesondere Indium-Zinn-Oxid (ITO), werden wegen ihrer außergewöhnlichen Leitfähigkeit und Transparenz häufig in Displays, Touchscreens und Solarzellen verwendet.

Hochwertiges Gallium

Gallium spielt eine wichtige Rolle bei der Bildung von Galliumarsenid (GaAs), einem Halbleiter, der für seine Effizienz bei der Umwandlung von Elektrizität in Licht oder Hochfrequenzsignale bekannt ist, was ihn für die LED- und Hochfrequenztechnik unverzichtbar macht.

Engagierte Dienste

Wir arbeiten mit jedem Kunden zusammen, um die richtigen Materialien auszuwählen, und bieten unser Fachwissen über Materialien und Prozesse an, um eine nahtlose Erfahrung zu gewährleisten.

Materials and Available Forms

MaterialRundschussTeardrop ShotBrockenBenutzerdefinierte FormulareTiegel-FüllungKundenspezifische Tiegeleinsätze
UnterXXXXX
ITOX
GaXX
InGaXXXX
IndiumGalliumKupferSelen
Ordnungszahl49312934
Siedepunkt2,072°C2,204°C2,562°C685°C
Schmelzpunkt157°C29.8°C1,084°C221°C
Dichte7,31g/cm³6,10g/cm³8,94g/cm³4.28 – 4.81g/cm³
Atomares Gewicht114,8g/mol69,7g/mol63,5g/mol789,6g/mol
ITOCuGaCuln
Schmelzpunkt1500°C460°C575°C
Dichte7,16g/cm³7,91g/cm³8,45g/cm³

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Diese Methoden und Materialien werden in einer Vielzahl von Märkten wie der Automobilindustrie, der Luft- und Raumfahrt und der Unterhaltungselektronik eingesetzt.