Applications Thermal Evaporation and PVD Coating

熱蒸發與 PVD 鍍膜

熱蒸發和物理氣相沉積 (PVD) 是用來在各種基材上鍍薄膜和塗層的兩種技術。源材料的純度與沉積設備同樣重要。Indium Corporation 提供高品質的材料,特別是铟和鎵,專門用於電子和半導體產業。此外,我們提供經驗豐富的技術支援,協助您優化 PVD 製程。

三條金屬铟棒,反光面放置在深色背景上。

實現薄膜沉積的高品質與高效率

熱蒸發和 PVD 都是薄膜沉積的技術,各自使用不同的方法。這些製程在電子、汽車和航太等各行各業都非常重要。為了確保有效且高效率的熱蒸發,高純度的金屬與合金對於取得高品質的薄膜是不可或缺的。憑藉先進的材料、堅定不移的品質承諾以及出色的技術支援,Indium Corporation 成為客戶的首選。

利用 Indium Corporation 的頂級材料和專業技術提升薄膜沉積的品質

先進材料

我們以提供頂級金屬、合金和化合物為榮,以確保薄膜沉積的優異品質。

卓越的铟

铟及其化合物,尤其是氧化铟锡 (ITO),因其卓越的导电性和透明度,常用于显示器、触摸屏和太阳能电池。

高品質鎵

鎵有助於形成砷化鎵(GaAs),砷化鎵是一種半導體,以其將電能轉換成光或無線電頻率訊號的效率而聞名,因此在 LED 和無線電頻率技術中非常重要。

專屬服務

我們與每位客戶共同合作,選擇合適的材料,並提供我們在材料和製程方面的專業知識,以確保完美的體驗。

Materials and Available Forms

材質圓形射擊淚滴噴射塊狀自訂表格坩鍋填充客製化坩堝
XXXXX
ITOX
XX
InGaXXXX
原子序數49312934
沸點2,072°C2,204°C2,562°C685°C
熔點157°C29.8°C1,084°C221°C
密度7.31g/cm³6.10g/cm³8.94g/cm³4.28 – 4.81g/cm³
原子重量114.8g/mol69.7 克/摩爾63.5 克/摩爾789.6 克/摩爾
ITOCuGa
熔點1500°C460°C575°C
密度7.16g/cm³7.91g/cm³8.45g/cm³

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