應用
熱蒸發與 PVD 鍍膜
熱蒸發和物理氣相沉積 (PVD) 是用來在各種基材上鍍薄膜和塗層的兩種技術。源材料的純度與沉積設備同樣重要。Indium Corporation 提供高品質的材料，特別是铟和鎵，專門用於電子和半導體產業。此外，我們提供經驗豐富的技術支援，協助您優化 PVD 製程。
概述
實現薄膜沉積的高品質與高效率
熱蒸發和 PVD 都是薄膜沉積的技術，各自使用不同的方法。這些製程在電子、汽車和航太等各行各業都非常重要。為了確保有效且高效率的熱蒸發，高純度的金屬與合金對於取得高品質的薄膜是不可或缺的。憑藉先進的材料、堅定不移的品質承諾以及出色的技術支援，Indium Corporation 成為客戶的首選。
優點
利用 Indium Corporation 的頂級材料和專業技術提升薄膜沉積的品質
先進材料
我們以提供頂級金屬、合金和化合物為榮，以確保薄膜沉積的優異品質。
卓越的铟
铟及其化合物，尤其是氧化铟锡 (ITO)，因其卓越的导电性和透明度，常用于显示器、触摸屏和太阳能电池。
高品質鎵
鎵有助於形成砷化鎵（GaAs），砷化鎵是一種半導體，以其將電能轉換成光或無線電頻率訊號的效率而聞名，因此在 LED 和無線電頻率技術中非常重要。
專屬服務
我們與每位客戶共同合作，選擇合適的材料，並提供我們在材料和製程方面的專業知識，以確保完美的體驗。
Materials and Available Forms
| 材質 | 圓形射擊 | 淚滴噴射 | 塊狀 | 自訂表格 | 坩鍋填充 | 客製化坩堝 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 在 | X | X | X | X | X | |
| ITO | X | |||||
| 高 | X | X | ||||
| InGa | X | X | X | X | ||
特點
熱蒸發常用元素的物理特性
| 铟 | 鎵 | 銅 | 硒 | |
|---|---|---|---|---|
| 原子序數 | 49 | 31 | 29 | 34 |
| 沸點 | 2,072°C | 2,204°C | 2,562°C | 685°C |
| 熔點 | 157°C | 29.8°C | 1,084°C | 221°C |
| 密度 | 7.31g/cm³ | 6.10g/cm³ | 8.94g/cm³ | 4.28 – 4.81g/cm³ |
| 原子重量 | 114.8g/mol | 69.7 克/摩爾 | 63.5 克/摩爾 | 789.6 克/摩爾 |
熱蒸發常用合金的物理性能
| ITO | CuGa | 銅 | |
|---|---|---|---|
| 熔點 | 1500°C | 460°C | 575°C |
| 密度 | 7.16g/cm³ | 7.91g/cm³ | 8.45g/cm³ |
熱蒸發與 PVD 鍍膜產品
Indium Corporation 提供高品質的金屬铟和鎵，以及用於熱蒸發和 PVD 的化合物，以確保精密的應用，有助於改善裝置的效率和功能。
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