应用
热蒸发和 PVD 涂层
热蒸发和物理气相沉积（PVD）是两种用于在各种基材上沉积薄膜和涂层的技术。原料的纯度与沉积设备同样重要。铟泰公司 提供高品质材料，特别是铟和镓（Ga） ，专门面向电子和半导体行业。此外，我们还提供经验丰富的技术支持，帮助您优化 PVD 工艺。
概述
实现薄膜沉积的高质量和高效率
热蒸发和PVD都是薄膜沉积技术，二者采用的方法各不相同。这些工艺在电子、汽车和航空航天等众多行业中都至关重要。为了确保热蒸发过程高效有效，高纯度金属和合金对于制备高质量薄膜至关重要。凭借先进的材料、对质量的坚定承诺以及卓越的技术支持，铟泰公司 已成为客户的首选。
益处
借助铟泰公司的一流材料和专业技术，提升您的薄膜沉积工艺
先进材料
我们以提供一流的金属、合金及化合物 为荣，以确保薄膜沉积的卓越品质。
卓越的铟
铟及其化合物 ，尤其是氧化铟锡 （ITO），因其卓越的导电性和透明度，被广泛应用于显示器、触摸屏和太阳能电池中。
高品质镓（Ga）
镓（Ga） 在制备砷化镓（镓（Ga） , GaAs）方面起着关键作用。这种半导体以其将电能高效转换为光能或射频信号的特性而著称，因此在LED 和射频技术中不可或缺。
专用服务
我们与每位客户一起选择合适的材料，并提供我们在材料和工艺方面的专业知识，以确保无缝体验。
材料及可选形式
| 材料 | 圆形射击 | 泪滴镜头 | 大块 | 自定义表格 | 坩埚填充 | 定制坩埚插件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 在 | X | X | X | X | X | |
| ITO | X | |||||
| 加 | X | X | ||||
| InGa | X | X | X | X | ||
特点
热蒸发用常见元素的物理属性
| 铟 | 镓（Ga） | 铜 | 硒 | |
|---|---|---|---|---|
| 原子数 | 49 | 31 | 29 | 34 |
| 沸点 | 2,072°C | 2,204°C | 2,562°C | 685°C |
| 熔点 | 157°C | 29.8°C | 1,084°C | 221°C |
| 密度 | 7.31 克/立方厘米 | 6.10 克/立方厘米 | 8.94 克/立方厘米 | 4.28 – 4.81克/立方厘米 |
| 原子量 | 114.8 克/摩尔 | 69.7 克/摩尔 | 63.5 克/摩尔 | 789.6 克/摩尔 |
用于热蒸发工艺的常见合金的物理属性
| ITO | 铜镓合金 | Culn | |
|---|---|---|---|
| 熔点 | 1500°C | 460°C | 575°C |
| 密度 | 7.16 克/立方厘米 | 7.91 克/立方厘米 | 8.45 克/立方厘米 |
热蒸发和 PVD 涂层产品
铟泰公司 提供高品质的铟和镓（Ga） 金属，以及用于热蒸发和PVD工艺的化合物 ，以确保应用 的精确性，从而有助于提高器件的效率和功能。
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