化合物半導體
相較於傳統的單元素矽半導體，化合物半導體是由週期表中不同族元素的組合製成，例如砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）或碲化鎘（CdTe）。 選用這些材料是基於其獨特特性，例如高電子遷移率與直接能隙，這些特性對於光電子學、高頻及大功率裝置的應用具有顯著優勢。
概述
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由於化合物半導體的使用，這些材料的品質至關重要，因為更高品質的材料可減少廢棄物、提高製造效率，並改善半導體裝置的效能與可靠性。Indium Corporation 在製造铟和鎵等高品質、高純度材料方面擁有超過 90 年的經驗，可協助客戶達到更高的產量。
相關產品
我們製造並提供高品質、高純度的鎵和铟金屬及化合物，用於製造化合物半導體。
相關應用程式
化合物半導體因其獨特的特性而被廣泛應用。它們是智慧型手機、平板電腦、GPS 系統、光纖通訊、紅外線和可見光 LED/LD、高效率太陽能電池板、電動車、衛星和太空船等高科技裝置不可或缺的元件。
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