Công ty Indium Corporationđã giành được Giải thưởng Sáng tạocủa tạp chí Electronics Manufacturing (EM) World nhờ công nghệ hợp kim nhiệt độ thấpDurafuse™ LT. Giải thưởng này đã được trao vào thứ Sáu, ngày 3 tháng 7, tại Thượng Hải, Trung Quốc, trong khuôn khổ triển lãm Productronica China.
Chương trình Giải thưởng Sáng tạo EM ghi nhận và tôn vinh sự xuất sắc trong ngành điện tử, khuyến khích các công ty đạt được các tiêu chuẩn cao nhất và thúc đẩy ngành phát triển.
Durafuse™ LT là một hệ hợp kim nhiệt độ thấp tiên tiến, được thiết kế để mang lại độ tin cậy cao trong các ứng dụng nhiệt độ thấp yêu cầu quá trình hàn nóng chảy ở nhiệt độ dưới 210°C. Trong khi các loại hàn nhiệt độ thấp truyền thống có thể tạo ra các mối hàn giòn, dễ bị hỏng do va đập khi rơi, Durafuse™ LT mang lại khả năng chống va đập khi rơi được cải thiện, vượt trội so với các hợp kim BiSn hoặc BiSnAg, và hoạt động tốt hơn SAC305 khi được thiết lập quy trình tối ưu. Durafuse™ LT:
- Cung cấp giải pháp cho các thành phần nhạy nhiệt và polyme mềm
- Ngăn ngừa cong vênh nhiệt của các thành phần bộ xử lý và bo mạch nhiều lớp
- Đáp ứng các yêu cầu về nhiệt độ thấp cho hàn từng bước, đặc biệt là trong các ứng dụng gắn và làm lại tấm chắn RF
Indium Corporation là một trong những doanh nghiệp hàng đầu chuyên về tinh chế, luyện kim, sản xuất và cung cấp vật liệu cho các thị trường điện tử, bán dẫn, màng mỏng và quản lý nhiệt trên toàn cầu. Các sản phẩm bao gồm chất hàn và chất trợ hàn; vật liệu hàn cứng; vật liệu giao diện nhiệt; mục phún xạ; kim loại indium, gallium, germanium và thiếc cùng các hợp chất vô cơ; vàNanoFoil®. Được thành lập vào năm 1934, công ty có hệ thống hỗ trợ kỹ thuật toàn cầu và các nhà máy đặt tại Trung Quốc, Ấn Độ, Malaysia, Singapore, Hàn Quốc, Vương quốc Anh và Hoa Kỳ.
Để biết thêm thông tin về Indium Corporation, vui lòng truy cậpindiumstg.wpenginepowered.comhoặc gửi emailđến [email protected]. Quý vị cũng có thể theo dõi các chuyên gia của chúng tôi, From One Engineer ToAnother®(#FOETA), tạiwww.facebook.com/indiumhoặc@IndiumCorp.
