Quá trình gắn bi có thể được coi là một bước đơn giản khi tạo ra FCBGA hoặc gói tương tự, nhưng bước hàn cuối cùng có thể khá phức tạp. Có một số biến số tác động đến quá trình gắn bi cuối cùng từ số lượng quy trình lắp ráp cần thực hiện trước đó. Các quy trình này có thể là yếu tố chính trong sản lượng cuối cùng của FCBGA. Gần đây, tôi đã nghiên cứu các tương tác vật liệu trên bề mặt Cu/OSP đã trải qua một quy trình mô phỏng. Quy trình điển hình diễn ra trước quy trình gắn bi bao gồm các bước sau:
- Nhiều bước sấy khô
- Dòng chảy lại
- Giặt giũ
- Đổ đầy và xử lý
- Phá hủy bằng tia laser
- Huyết tương
- Sự đối đãi
- Thông lượng, chảy lại, sạch và khô
- Chuyển thông lượng gắn bi
Do các quy trình này, cần có một bước hàn bổ sung, tạo ra quy trình hàn “hai bước”. Quy trình này cần thiết vì nhiều lý do, chẳng hạn như:
- Các nhà sản xuất PWB khác nhau sử dụng các OSP khác nhau với các đặc tính hiệu suất khác nhau.
- OSP nhạy cảm với sự thay đổi nhiệt độ cao, đặc biệt là trong không khí
- OSP rất nhạy cảm khi tiếp xúc với hóa chất tẩy rửa.
Tuy nhiên, vấn đề khi loại bỏ bước hàn đầu tiên để tạo ra quy trình hàn “một bước” là có thể xảy ra lỗi, bao gồm: làm ướt kém trên bề mặt OSP đã được xử lý trước, điều này sẽ gây ra sự thay đổi về cả độ bền mối hàn và độ đồng phẳng của gờ, cũng như hiệu ứng “bóng thiếu”/”bóng lớn”.
Vì vậy, để quy trình hàn “một bước” hoạt động, hiện nay cần có chất trợ dung để khắc phục sự không nhất quán của lớp hoàn thiện bề mặt cũng như các vật liệu vô cơ có thể ảnh hưởng rõ ràng đến khả năng hàn của mặt đối diện (mặt BGA) của chất nền. Để biết thêm thông tin về hàn “một bước”, vui lòng liên hệ với tôi , bạn cũng có thể xem bài đăng trên blog liên quan của Tiến sĩ Andy Mackie tại đây: Chất trợ dung gắn bi WS-446-NRD để làm ướt OSP kém chất lượng
Cảm ơn,
