Seth Homer: Os veículos eléctricos híbridos, a energia verde e a gestão de potência são apenas algumas das indústrias que tiram partido da tecnologia dos transístores bipolares de porta isolada ou IGBTs. Mas quando se considera o impulso incessante para densidades de potência mais elevadas, juntamente com ciclos de potência mais elevados, esta tecnologia está a ser muito solicitada. O aumento da procura do IGBT repercute-se no nível de interligação do dispositivo. Tradicionalmente, temos confiado nos atributos físicos de um material de solda corretamente fabricado e aplicado para obter consistência. No entanto, estas convenções estão a ser postas em causa pelas exigências de fiabilidade e desempenho. A única forma lógica de obter um desempenho e fiabilidade superiores é redefinir o papel da solda neste processo.
Nesta série, explorarei considerações para redefinir a solda em três níveis de fixação de maior preocupação no empilhamento de IGBT: o nível do molde, o nível do substrato e o nível da placa de base. Ao nível da ligação ao molde, o nosso objetivo é conseguir um baixo nível de vazamento e uma melhor molhagem. No caso do substrato DBC para a placa de base, é fundamental obter uma espessura consistente da linha de ligação ou co-planaridade. E quando se trata do nível da placa de base para o dissipador de calor, temos de garantir que as capacidades de transferência térmica são resistentes à degradação. Este vídeo é um de uma série de quatro vídeos em que partilharei consigo considerações detalhadas e soluções únicas desenvolvidas pela Indium Corporation para enfrentar os desafios a cada nível.
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