セス・ホーマーハイブリッド電気自動車、グリーンエネルギー、電力管理は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）技術を活用している産業のほんの一部に過ぎません。しかし、より高い電力密度と、より高い電力サイクルの絶え間ない推進を考慮すると、この技術には多くのことが求められています。IGBTに対する要求の高まりは、デバイスの相互接続レベルまで連鎖している。従来、私たちは一貫性を達成するために、適切に製造され適用されたはんだ材料の物理的属性に依存してきました。しかし、信頼性と性能に対する要求により、このような慣例は挑戦的なものとなっています。優れた性能と信頼性を達成する唯一の論理的な方法は、このプロセスにおけるはんだの役割を再定義することです。
このシリーズでは、IGBTのスタックアップにおいて最も懸念される3つのアタッチレベル（ダイレベル、基板レベル、ベースプレートレベル）におけるはんだの再定義について考察します。ダイ・アタッチ・レベルでは、低ボイドと濡れ性の向上を目指します。DBC基板からベースプレートでは、一貫したボンドラインの厚みまたはコプラナリティを達成することが重要です。また、ベースプレートからヒートシンクのレベルでは、熱伝導の劣化を防ぐ必要があります。このビデオは4つのビデオシリーズの1つで、各レベルの課題に対処するためにインジウム・コーポレーションが開発した詳細な検討事項と独自のソリューションをご紹介します。
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