Seth Homer: I veicoli elettrici ibridi, l'energia verde e la gestione dell'energia sono solo alcuni dei settori che sfruttano la tecnologia dei transistor bipolari a gate isolato o IGBT. Ma se si considera l'incessante spinta verso densità di potenza più elevate, unita a cicli di potenza più elevati, si chiede molto a questa tecnologia. L'aumento della domanda di IGBT si ripercuote a cascata sul livello di interconnessione del dispositivo. Tradizionalmente ci siamo affidati agli attributi fisici di un materiale di saldatura prodotto e applicato correttamente per ottenere la coerenza. Tuttavia, queste convenzioni sono messe in discussione dalle richieste di affidabilità e prestazioni. L'unico modo logico per ottenere prestazioni e affidabilità superiori è ridefinire il ruolo della saldatura in questo processo.
In questa serie, analizzerò le considerazioni da fare per ridefinire le saldature ai tre livelli di attacco di maggiore interesse nello stackup degli IGBT: il livello del die, il livello del substrato e il livello della piastra di base. A livello di attacco della matrice, l'obiettivo è ottenere un basso grado di elongazione e una migliore bagnatura. Per quanto riguarda il substrato DBC e la piastra di base, è fondamentale ottenere uno spessore costante della linea di giunzione o la co-planarità. E quando si passa dalla piastra di base al dissipatore di calore, dobbiamo garantire che le capacità di trasferimento termico siano resistenti al degrado. Questo video fa parte di una serie di quattro video in cui condividerò con voi considerazioni dettagliate e soluzioni uniche sviluppate da Indium Corporation per affrontare le sfide a ciascun livello.
Se in qualsiasi momento avete domande, contattatemi direttamente all'indirizzo [email protected]. Grazie.
