Seth Homer: Xe điện hybrid, năng lượng xanh và quản lý điện năng chỉ là một số ngành công nghiệp tận dụng công nghệ bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện hoặc IGBT. Nhưng khi bạn xem xét sự thúc đẩy không ngừng để đạt được mật độ công suất cao hơn, cùng với chu kỳ công suất cao hơn, thì công nghệ này đang được yêu cầu rất nhiều. Nhu cầu tăng lên đối với IGBT sẽ lan xuống cấp độ kết nối của thiết bị. Theo truyền thống, chúng ta đã dựa vào các thuộc tính vật lý của vật liệu hàn được sản xuất và áp dụng đúng cách để đạt được tính nhất quán. Tuy nhiên, những quy ước này đang bị thách thức bởi các yêu cầu về độ tin cậy và hiệu suất. Cách hợp lý duy nhất để đạt được hiệu suất và độ tin cậy vượt trội là xác định lại vai trò của chất hàn trong quá trình này.
Trong loạt bài này, tôi sẽ khám phá những cân nhắc để định nghĩa lại mối hàn ở ba mức độ gắn kết quan trọng nhất trong xếp chồng IGBT: mức độ khuôn, mức độ nền và mức độ tấm đế. Ở mức độ gắn khuôn, mục tiêu của chúng tôi là đạt được độ rỗng thấp và độ ướt được cải thiện. Đối với nền DBC với tấm đế, điều quan trọng là phải đạt được độ dày đường liên kết hoặc độ phẳng đồng nhất. Và khi nói đến mức độ tấm đế với bộ tản nhiệt, chúng ta phải đảm bảo rằng khả năng truyền nhiệt có khả năng chống suy thoái. Video này là một trong bốn loạt video mà tôi sẽ chia sẻ với bạn những cân nhắc chi tiết và các giải pháp độc đáo do Indium Corporation phát triển để giải quyết các thách thức ở mỗi cấp độ.
Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc nào, vui lòng liên hệ trực tiếp với tôi qua email [email protected] . Cảm ơn bạn.
