Seth Homer: Los vehículos eléctricos híbridos, la energía verde y la gestión de la energía son sólo algunas de las industrias que aprovechan la tecnología de los transistores bipolares de puerta aislada o IGBT. Pero si tenemos en cuenta la incesante búsqueda de mayores densidades de potencia, unida a ciclos de potencia más elevados, es mucho lo que se le pide a esta tecnología. El aumento de la demanda de IGBT se produce en cascada en el nivel de interconexión del dispositivo. Tradicionalmente hemos confiado en los atributos físicos de un material de soldadura correctamente fabricado y aplicado para lograr la consistencia. Sin embargo, estas convenciones están siendo cuestionadas por las exigencias de fiabilidad y rendimiento. La única forma lógica de lograr un rendimiento y una fiabilidad superiores es redefinir el papel de la soldadura en este proceso.
En esta serie, analizaré las consideraciones para redefinir la soldadura en tres niveles de fijación de máxima importancia en la pila de IGBT: el nivel de la matriz, el nivel del sustrato y el nivel de la placa base. En el nivel de unión de la matriz, nuestro objetivo es conseguir una baja ovalización y una mejor humectación. En el caso del sustrato DBC a la placa base, es fundamental conseguir un grosor de línea de unión o coplanaridad uniforme. Y cuando se trata del nivel de la placa base al disipador térmico, debemos asegurarnos de que las capacidades de transferencia térmica sean resistentes a la degradación. Este vídeo forma parte de una serie de cuatro en los que compartiré con ustedes consideraciones detalladas y soluciones exclusivas desarrolladas por Indium Corporation para abordar los retos de cada nivel.
Si en algún momento tiene alguna pregunta, póngase en contacto conmigo directamente en [email protected]. Gracias.
