Seth Homer: Hybrid-Elektrofahrzeuge, grüne Energie und Energiemanagement sind nur einige der Branchen, die von der Technologie der bipolaren Transistoren mit isoliertem Gate oder IGBTs profitieren. Aber wenn man bedenkt, dass immer höhere Leistungsdichten in Verbindung mit höheren Leistungszyklen gefordert werden, wird von dieser Technologie eine Menge verlangt. Die gestiegenen Anforderungen an IGBTs wirken sich bis auf die Verbindungsebene des Bauelements aus. Traditionell haben wir uns auf die physikalischen Eigenschaften eines ordnungsgemäß hergestellten und aufgetragenen Lötmaterials verlassen, um Konsistenz zu erreichen. Diese Konventionen werden jedoch durch die Anforderungen an Zuverlässigkeit und Leistung in Frage gestellt. Die einzige logische Möglichkeit, eine bessere Leistung und Zuverlässigkeit zu erreichen, besteht darin, die Rolle des Lots in diesem Prozess neu zu definieren.
In dieser Serie werde ich Überlegungen zur Neudefinition des Lötmittels auf drei Befestigungsebenen untersuchen, die beim IGBT-Stackup am wichtigsten sind: die Die-Ebene, die Substrat-Ebene und die Grundplatten-Ebene. Auf der Die-Ebene ist unser Ziel, eine geringe Voidingrate und eine verbesserte Benetzung zu erreichen. Bei der Verbindung von DBC-Substrat und Grundplatte ist es entscheidend, eine gleichmäßige Bondliniendicke oder Koplanarität zu erreichen. Und auf der Ebene zwischen Grundplatte und Kühlkörper müssen wir sicherstellen, dass die Wärmeübertragungsfähigkeit nicht beeinträchtigt wird. Dieses Video ist Teil einer vierteiligen Serie, in der ich Ihnen detaillierte Überlegungen und einzigartige Lösungen vorstellen werde, die von der Indium Corporation entwickelt wurden, um die Herausforderungen auf jeder Ebene zu meistern.
Sollten Sie zu irgendeinem Zeitpunkt Fragen haben, wenden Sie sich bitte direkt an mich unter [email protected]. Ich danke Ihnen.
