CLINTON, N.Y., ngày 25 tháng 9 năm 2026 — Với tư cách là nhà cung cấp hàng đầu về các vật liệu hàn có độ tin cậy cao và hỗ trợ trí tuệ nhân tạo (AI), ba chuyên gia của Indium Corporation sẽ chia sẻ những nghiên cứu và phân tích mới về việc giải quyết các thách thức liên quan đến đóng gói tiên tiến và hiệu suất công suất cao tại Hội nghị chuyên đề IMAPS 2026, diễn ra từ ngày 29 tháng 9 đến ngày 1 tháng 10 tại Boston, Massachusetts.
Ngày 30 tháng 9, 11:30–11:55 sáng theo giờ EDT – “Các vật liệu kết nối mới cho quy trình lắp ráp bao bì tiên tiến”, do Sze Pei Lim, Giám đốc Sản phẩm Toàn cầu Cấp cao, Bộ phận Bán dẫn và Vật liệu Tiên tiến, trình bày.
Bài thuyết trình này sẽ đề cập đến các vật liệu tiên tiến dành cho đóng gói cao cấp và tích hợp dị chất, bao gồm các công thức chất hàn mới có hàm lượng cặn cực thấp dành cho công nghệ gắn chip lật (flip-chip-attach) – tương thích với vật liệu lấp đầy (underfill) và hợp chất đúc, chất kết dính cho hàn không dùng chất hàn, cùng với bột hàn dành cho in với khoảng cách chân cực nhỏ. Những vật liệu mới này là yếu tố then chốt giúp hiện thực hóa các ứng dụng đóng gói mật độ cao. Các trường hợp ứng dụng cho các mô-đun SiP mật độ cao, TCB và LAB, trong đóng gói tiên tiến, cũng như các mô-đun 2.5D cũng sẽ được thảo luận.
Ngày 30 tháng 9, 13:00–13:25 EDT – Các giải pháp vật liệu cho đóng gói AI/HPC từ quá trình gắn chấm trên wafer đến lắp ráp hệ thống, do ông Jason Chou, Giám đốc Kỹ thuật Cấp cao, trình bày.
Buổi học này giới thiệu các vật liệu chuyên dụng được thiết kế để đảm bảo tính toàn vẹn của mối hàn,
quản lý nhiệt và các điểm yếu khác nhằm nâng cao hiệu suất của trí tuệ nhân tạo. Các giải pháp được giới thiệu bao gồm vật liệu hàn có lượng cặn cực thấp dành cho quy trình tạo điểm nối vi mô trên tấm wafer (micro-bump wafer bumping) và quy trình Chip-on-Wafer, bột hàn nhiệt độ trung bình nhằm loại bỏ các khuyết tật Head-in-Pillow (HIP) và Non-Wet-Open (NWO), cùng các vật liệu giao diện nhiệt (TIMs) tiên tiến được thiết kế để nâng cao đáng kể hiệu suất tản nhiệt của các chip máy tính hiệu suất cao (HPC).
Ngày 30 tháng 9, 13:30–13:55 EDT – Chất hàn không chứa Bi, có chứa In, nhiệt độ thấp, phù hợp cho việc lắp ráp BGA quy mô lớn trong lĩnh vực HPC, do Tiến sĩ Hongwen Zhang, Giám đốc Nghiên cứu và Phát triển kiêm Chuyên gia Kim loại học chính, trình bày .
Bài thuyết trình này giới thiệu loại bột hàn không chứa bismuth, có chứa indium và hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn, được đặt tên là “DFLT”, được phát triển nhằm hỗ trợ quá trình lắp ráp theo cấp bậc với độ tin cậy cơ học và điện được nâng cao. Bài thuyết trình sẽ nhấn mạnh công thức bột kép của DFLT cũng như việc ứng dụng thành công sản phẩm này trong các quy trình hàn từng bước, hàn thanh nóng, sửa chữa và lắp ráp cấp bo mạch. Với nhiệt độ tái chảy đỉnh chỉ 210°C, DFLT có thể giúp giảm thiểu các khuyết tật liên quan đến biến dạng trong các cụm BGA cỡ lớn, đồng thời mang lại những cải thiện đáng kể về khả năng chống sốc va đập và hiệu suất di chuyển điện so với các hợp kim bismuth-thiếc-bạc (BiSnAg), cũng như cung cấp hiệu suất tương đương hoặc vượt trội so với SAC305.
Giới thiệu về các diễn giả
Jason Chou cung cấp dịch vụ hỗ trợ kỹ thuật cho khách hàng của Indium Corporation, tập trung vào ngành công nghiệp bán dẫn. Vị trí chiến lược của anh tại miền nam Đài Loan giúp đảm bảo phản hồi kịp thời cho khách hàng, đồng thời hỗ trợ hiệu quả cho đội ngũ bán hàng và tiếp thị. Anh tốt nghiệp cử nhân hóa học tại Đại học Quốc gia Cheng Kung, Đài Loan, và thạc sĩ hóa học tại Đại học Quốc gia Tsing Hua, Đài Loan.
Sze Pei Lim hợp tác chặt chẽ với các đội ngũ bán hàng và nghiên cứu phát triển (R&D) nội bộ của Indium Corporation để phát triển các giải pháp đáp ứng nhu cầu và yêu cầu của ngành. Cô cũng hợp tác với khách hàng bên ngoài và các đối tác doanh nghiệp để hỗ trợ xu hướng tích hợp dị chất trong ngành. Một số công trình gần đây của cô bao gồm việc phát triển vật liệu và quy trình cho công nghệ đóng gói tiên tiến nhằm in các chi tiết siêu nhỏ cho các ứng dụng SiP, cũng như cho các ứng dụng gắn bóng OSP một bước.
Ông Hongwen Zhang phụ trách phát triển công nghệ, lập kế hoạch chiến lược sản phẩm và thúc đẩy sự phát triển liên tục của danh mục vật liệu của Indium Corporation. Trong gần hai thập kỷ qua, ông đã đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển các vật liệu hàn không chì chịu nhiệt độ cao và củng cố chuyên môn về luyện kim của công ty. Ông Zhang là đồng phát minh công nghệDurafuse® của Indium Corporation, dẫn dắt quá trình phát triển dòng hợp kimBiAgX® — loại vật liệu hàn không chì chịu nhiệt độ cao đầu tiên không chứa vàng — và đã đóng góp vào nhiều dự án hợp tác với khách hàng cũng như các quan hệ đối tác kỹ thuật.
Để tìm hiểu thêm về các giải pháp đóng gói tiên tiến, vật liệu TIM và vật liệu HPC của Indium Corporation, hãy truy cập indium.com hoặc gặp gỡ các chuyên gia của chúng tôi tại gian hàng số 535 trong Hội nghị chuyên đề IMAPS.
Giới thiệu về Indium Corporation
IndiumCorporation® là một trong những doanh nghiệp hàng đầu chuyên về tinh chế, luyện kim, sản xuất và cung cấp vật liệu cho các thị trường điện tử, bán dẫn, màng mỏng và quản lý nhiệt trên toàn cầu. Các sản phẩm bao gồm chất hàn và chất trợ hàn; vật liệu hàn cứng; vật liệu giao diện nhiệt; mục phún xạ; kim loại indium, gallium, germanium và thiếc cùng các hợp chất vô cơ; vàNanoFoil®. Được thành lập vào năm 1934, công ty có hệ thống hỗ trợ kỹ thuật toàn cầu và các nhà máy đặt tại Trung Quốc, Đức, Ấn Độ, Malaysia, Mexico, Singapore, Hàn Quốc, Vương quốc Anh và Hoa Kỳ.
Để biết thêm thông tin về Indium Corporation, vui lòng truy cập www.indium.com hoặc gửi email đến [email protected]. Quý vị cũng có thể theo dõi các chuyên gia của chúng tôi, From One Engineer ToAnother® (#FOETA), tại www.linkedin.com/company/indium-corporation/.
