CLINTON, N.Y., ngày 23 tháng 10 năm 2026 — Năm chuyên gia công nghệ đến từ Indium Corporation, một trong những nhà phát triển hàng đầu về vật liệu hàn hỗ trợ trí tuệ nhân tạo (AI) và có độ tin cậy cao, sẽ chia sẻ những hiểu biết kỹ thuật mới tại hội nghị SMTA International 2026, diễn ra từ ngày 25 đến 29 tháng 10 tại Rosemont, Illinois. Các bài thuyết trình của nhóm sẽ tập trung vào một số chủ đề quan trọng trong ngành, bao gồm vật liệu giao diện nhiệt (TIM), giảm thiểu khuyết tật và các quy trình lắp ráp không chì.
Ngày 27 tháng 10, 10:30 sáng – 12:00 trưa (giờ CDT) – Trở về những điều cơ bản: Nắm vững bước đầu tiên – In khuôn, do Adam Murling, Giám đốc Dịch vụ Kỹ thuật, Hoa Kỳ trình bày.
Buổi đào tạo “Trở về những kiến thức cơ bản” này sẽ đi sâu vào các nguyên tắc cơ bản trong việc lựa chọn bột hàn và in khuôn, tập trung vào các yếu tố ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng in, tính nhất quán và tỷ lệ lỗi. Người tham dự sẽ tìm hiểu mối liên hệ giữa tính lưu biến của bột hàn và kích thước hạt bột với thiết kế khuôn và độ mở lỗ khuôn, cách tỷ lệ diện tích và “quy tắc năm hạt” có thể hướng dẫn việc lựa chọn vật liệu, cũng như cách thiết lập máy in và các thông số quy trình chính ảnh hưởng đến lượng bột hàn được phủ lên bề mặt.
Ngày 27 tháng 10, 3:30–4:00 chiều (giờ CDT) – Giảm thiểu các khuyết tật tại mối hàn do hiện tượng cong vênh của cụm BGA thông qua quá trình hàn ở nhiệt độ thấp – Giai đoạn III: Lựa chọn hợp kim cho các hạt hàn và độ tin cậy trong thử nghiệm chu kỳ nhiệt, do ông Hongwen Zhang, Giám đốc Nghiên cứu và Phát triển, trình bày.
Dựa trên các nghiên cứu trước đây đã chứng minh rằng hàn ở nhiệt độ thấp là phương pháp hiệu quả để giảm thiểu các khuyết tật liên quan đến hiện tượng cong vênh trong các cụm BGA cỡ lớn, bài trình bày này sẽ tìm hiểu cách các hợp kim bóng hàn thay thế có thể tiếp tục giảm nhiệt độ tái chảy cần thiết và hạn chế hiện tượng cong vênh động. Buổi trình bày sẽ đánh giá tác động của các hợp kim hàn BGA SAC305, SAC-Bi, SAC-3Bi và SAC-In đối với độ bền của các điểm hàn, hành vi nóng chảy và độ tin cậy khi thay đổi nhiệt độ trong quy trình hàn ở nhiệt độ thấp hơn, đồng thời trình bày năm kết luận chính.
Ngày 27 tháng 10, 3:30–4:00 chiều (giờ CDT) – “Các khe hở có gây ảnh hưởng xấu đến quá trình in ấn không?”, do Lee Hong Kim, Giám đốc Kỹ thuật Khu vực tại Malaysia, trình bày.
Buổi hội thảo sẽ phân tích cách khoảng cách in và chất lượng bảng mạch ảnh hưởng đến quá trình in bột hàn trong quy trình lắp ráp công nghệ gắn bề mặt (SMT). Dựa trên hơn 50.000 số liệu kiểm tra bột hàn, nghiên cứu này so sánh các thiết kế điểm hàn, phương pháp kẹp, khoảng cách in, các loại bột hàn và thiết kế khuôn in. Kết quả nghiên cứu sẽ chứng minh khả năng phủ lượng hàn tốt hơn khi sử dụng các pad được định nghĩa bởi lớp phủ chống hàn, phương pháp kẹp không dùng lá kim loại, chất hàn loại 5 và khuôn in phủ nano, đồng thời thách thức các giả định về khoảng cách in và xác định các yếu tố chính ảnh hưởng đến hiệu suất chuyển chất hàn.
Ngày 28 tháng 10, 12:00–12:30 trưa theo giờ CDT – Vật liệu giao diện nhiệt cho hàn (TIM): Lý do và cách thức áp dụng TIM cho hàn trong các thiết bị điện tử hiệu suất cao, do ông Ronald C. Lasky, Chuyên gia Công nghệ Cấp cao, trình bày.
Bài thuyết trình này giới thiệu các vật liệu chuyên dụng được thiết kế nhằm đảm bảo tính toàn vẹn của mối hàn,
quản lý nhiệt và các điểm yếu khác nhằm nâng cao hiệu suất của trí tuệ nhân tạo (AI). Các giải pháp được đề xuất bao gồm vật liệu hàn có lượng cặn cực thấp dành cho quy trình tạo điểm nối vi mô trên tấm wafer (micro-bump) và quy trình Chip-on-Wafer, bột hàn nhiệt độ trung bình nhằm loại bỏ các khuyết tật Head-in-Pillow (HIP) và Non-Wet Open (NWO), cùng các chất dẫn nhiệt (TIM) tiên tiến được thiết kế để nâng cao đáng kể hiệu suất tản nhiệt của các chip tính toán hiệu suất cao (HPC).
Ngày 28 tháng 10, 4:30–5:00 chiều (giờ CDT) – Quy định về hạn chế sử dụng các chất nguy hại (RoHS): Hai mươi năm sau, do ông Ronald C. Lasky, Chuyên gia Kỹ thuật Cấp cao, trình bày.
Phiên thảo luận này sẽ phân tích quá trình phát triển của sản xuất không chì sau 20 năm kể từ khi Chỉ thị Hạn chế Sử dụng Chất độc hại (RoHS) được triển khai. Phiên thảo luận sẽ điểm lại những lo ngại ban đầu và khám phá những tiến bộ trong lĩnh vực hợp kim không chì, độ tin cậy, vật liệu và quy trình sản xuất, đồng thời đề cập đến những thách thức vẫn còn tồn tại như hiện tượng “râu thiếc”, hiện tượng rỗng và gãy giòn. Cuộc thảo luận cũng sẽ xem xét các trường hợp miễn trừ theo RoHS, những hạn chế trong chuỗi cung ứng, các sáng kiến về tính bền vững, cũng như cách thức mà điện khí hóa, phần cứng AI và các hệ thống mật độ công suất cao đang định hình các yêu cầu về vật liệu và độ tin cậy trong tương lai.
Ngày 28 tháng 10, 5:30–6:00 chiều (giờ CDT) – Ảnh hưởng của bề mặt hoàn thiện đến hiện tượng rỗng trong hệ thống bột hàn hợp kim hỗn hợp, do Thuy Nguyen, Kỹ sư Hỗ trợ Kỹ thuật, trình bày.
Bài thuyết trình sẽ phân tích cách thức bề mặt hoàn thiện ảnh hưởng đến sự hình thành lỗ rỗng trong các hệ thống bột hàn hợp kim hỗn hợp dành cho các linh kiện có chân hàn ở mặt dưới. Dựa trên các nghiên cứu trước đây, bài thuyết trình sẽ đánh giá chất bảo quản khả năng hàn hữu cơ (OSP), mạ thiếc ngâm (ImSn), mạ bạc ngâm (ImAg) và mạ niken không điện phân kết hợp mạ vàng ngâm (ENIG), cùng với thiết kế khuôn in, điều kiện nung chảy lại và thành phần hóa học của bột hàn. Các kết quả nghiên cứu sẽ chứng minh cách việc lựa chọn lớp hoàn thiện bề mặt có thể giúp giảm thiểu hiện tượng rỗng, hỗ trợ các kết nối hàn có độ tin cậy cao và giảm sự phụ thuộc vào quá trình nung lại chân không.
Để tìm hiểu thêm về dòng sản phẩm đầy đủ của Indium Corporation trong lĩnh vực đóng gói tiên tiến, vật liệu dẫn nhiệt (TIM) và các giải pháp lắp ráp bảng mạch in (PCB), vui lòng truy cập indium.com.
Giới thiệu về Indium Corporation
IndiumCorporation® là một trong những doanh nghiệp hàng đầu chuyên về tinh chế, luyện kim, sản xuất và cung cấp vật liệu cho các thị trường điện tử, bán dẫn, màng mỏng và quản lý nhiệt trên toàn cầu. Các sản phẩm bao gồm chất hàn và chất trợ hàn; vật liệu hàn cứng; vật liệu giao diện nhiệt; mục phún xạ; kim loại indium, gallium, germanium và thiếc cùng các hợp chất vô cơ; vàNanoFoil®. Được thành lập vào năm 1934, công ty có hệ thống hỗ trợ kỹ thuật toàn cầu và các nhà máy đặt tại Trung Quốc, Đức, Ấn Độ, Malaysia, Mexico, Singapore, Hàn Quốc, Vương quốc Anh và Hoa Kỳ.
Để biết thêm thông tin về Indium Corporation, vui lòng truy cập www.indium.com hoặc gửi email đến [email protected]. Quý vị cũng có thể theo dõi các chuyên gia của chúng tôi, From One Engineer ToAnother® (#FOETA), tại www.linkedin.com/company/indium-corporation/.
