Dr. HongWen Zhang, R&D Manager, Alloy Group und Principal Research Metallurgist der Indium Corporation, wird auf der SMTA Empire Expo & Tech Forum am 26. September in Syracuse, NY, einen Vortrag halten. Ebenfalls auf der Konferenz wird Regional Sales Manager Emily Belfield eine Podiumsdiskussion zum Thema " Generational Differences in Today's Workplace" moderieren.
Der Vortrag von Dr. Zhang mit dem Titel A Bismuth-Free In-Containing Lower Temperature Lead-Free Solder Paste for Wafer-Level Package Application that Outperforms SAC305 (Eine wismutfreie, indiumhaltige, bleifreie Lötpaste für Anwendungen auf Wafer-Ebene, die SAC305 übertrifft ) wird eine neuartige Lötpulverpastentechnologie bewerten, die zur Entwicklung einer innovativen, wismutfreien, indiumhaltigen Lötpaste für das Niedertemperaturlöten verwendet wurde. Die Paste wurde aufgrund ihrer hervorragenden Fallschockeigenschaften bereits erfolgreich bei der Board-Stacking-Verbindung mit einem Spitzentemperaturprofil von 200 °C für 5G-Mobiltelefone eingesetzt. Die Verbindung des Wafer-Level-Gehäuses unterlag während der thermischen Wechselbeanspruchung einer hohen Spannung/Dehnung, was zu Rissen in der Verbindung direkt unter der Schnittstelle zwischen dem Wafer-Bonding-Pad und dem Lot führte. Durafuse LT wurde verwendet, um ein Wafer-Level-Gehäuse (WLP256, Full-Array, SAC305-Kugeln mit einem Durchmesser von 0,25 mm und einem Pitch von 0,4 mm) mit Reflow-Profilen mit einer Spitzentemperatur von 200240 C und einem konstanten Paste-zu-Kugel-Verhältnis von 1:4 zu montieren. Mit der minimalen Spitzentemperatur von 200 C wurden Hybridverbindungen hergestellt, die zwei unterschiedliche Bereiche aufwiesen: (1) die Mischzone, die von der In-haltigen Paste auf der Leiterplattenseite dominiert wurde, und (2) der Bereich unmittelbar über der Mischzone, der die ursprüngliche SAC305-Morphologie beibehielt. Indium ist in der Mischzone in verschiedenen Formen vorhanden, einschließlich der In/Sn4 ()-Phase, Sn(In)-Mischkristall und In4/Ag9- oder In4/Ag9/Ag3Sn-Verbundausscheidungen. Die homogene Vollmischverbindung wurde durch Erhöhen der Spitzentemperatur auf 210 °C gebildet, was zu einer ähnlichen Mikrostruktur wie bei der herkömmlichen SAC305-Verbindung führte, bei der Ag-haltige Ausscheidungen in die Sn-Matrix eingebettet sind. Die In/Sn4-Phase wurde in der voll durchmischten homogenen Verbindung nicht beobachtet, während Sn(In)-Mischkristalle und In4/Ag9- oder In4/Ag9/Ag3Sn-Verbundausscheidungen erhalten blieben. TCT (Temperaturwechsel) wurde in einem Temperaturbereich von -40C/125C und mit einem 20-minütigen Verweilprofil durchgeführt. Unabhängig von den Reflow-Profilen übertraf Durafuse LT die Leistung von SAC305 bei TCT um 11 % oder mehr. Das Spitzentemperaturprofil von 210 °C führte zu einer Verbesserung von mehr als 30 % im Vergleich zur SAC305-Paste. Die Rissbildung in der Verbindung beschränkte sich auf die Lötstelle unterhalb der Wafer-Löt-Grenzfläche, ähnlich wie bei der SAC305-Verbindung.
Als Leiter der Legierungsgruppe in der Forschungs- und Entwicklungsabteilung der Indium Corporation konzentriert sich Dr. Zhang auf die Entwicklung von Pb-freien Lötmaterialien und die damit verbundenen Technologien für Hochtemperatur- und Hochzuverlässigkeitsanwendungen. Er war maßgeblich an der Erfindung der neuen Legierungstechnologie beteiligt, mit der die Vorzüge der Bestandteile kombiniert werden, um die Benetzung zu verbessern, die Verarbeitungstemperaturen zu senken, die Verbindungsoberfläche zu modifizieren und die Morphologie der Verbindung zu kontrollieren und so die Zuverlässigkeit zu verbessern. Als leitender Metallurge ist er auch für die Ausweitung der metallurgischen Innovation verantwortlich. Er und sein Team sind dafür verantwortlich, metallurgische Erkenntnisse für die Entwicklung neuer Produkte zu nutzen, Verbesserungen an bestehenden Prozessen und Produkten umzusetzen und die Ergebnisse zu messen.
Dr. Zhang hat einen Bachelor-Abschluss in metallurgisch-physikalischer Chemie von der Central South University of China, einen Master-Abschluss in Werkstoffen und Technik vom Institute of Metal Research, Chinese Academy of Science, sowie einen Master-Abschluss in Maschinenbau und einen Doktortitel in Materialwissenschaft und Technik von der Michigan Technological University. Er hat einen Six Sigma Green Belt von der Thayer School of Engineering am Dartmouth College und ist zertifizierter IPC-Spezialist für IPC-A-600 und IPC-A-610 sowie zertifizierter SMT-Prozessingenieur. Er verfügt über umfangreiche Erfahrungen mit verschiedenen Aluminiumlegierungen und faser- bzw. partikelverstärkten Verbundwerkstoffen auf Al-Basis sowie mit amorphen Legierungen auf Al- und ZrHf-Basis. Er ist Mitverfasser von zwei Buchkapiteln über bleifreie Hochtemperatur-Verbundwerkstoffe, hat eine Reihe von Patenten angemeldet und in etwa 20 Fachzeitschriften in den Bereichen Metallurgie, Werkstoffkunde und -technik, Physik, Elektronikmaterialien und Mechanik veröffentlicht.
Als Regional Sales Manager ist Belfield für die Aufrechterhaltung bestehender Verkäufe und die Förderung neuer Qualifikationen und Verkäufe durch effektives Account Management und die Koordination von Ressourcen in der Region Nordost-Amerika verantwortlich. Sie kam 2020 als Technical Support Engineer zur Indium Corporation, wo sie technische Unterstützung bei der Lösung von Problemen mit Lötprozessen leistete. Belfield erwarb einen Bachelor-Abschluss in Chemieingenieurwesen an der Syracuse University. Derzeit ist sie VP of Membership und war zwei Jahre lang Vorstandsmitglied des SMTA Empire Chapter.
Über Indium Corporation
Indium Corporation ist ein führender Materialveredler, -schmelzer, -hersteller und -lieferant für die weltweiten Elektronik-, Halbleiter-, Dünnschicht- und Wärmemanagementmärkte. Zu den Produkten gehören Lote und Flussmittel, Hartlote, Materialien für thermische Schnittstellen, Sputtertargets, Metalle und anorganische Verbindungen aus Indium, Gallium, Germanium und Zinn sowie NanoFoil. Das 1934 gegründete Unternehmen verfügt über einen weltweiten technischen Support und Fabriken in China, Deutschland, Indien, Malaysia, Singapur, Südkorea, dem Vereinigten Königreich und den Vereinigten Staaten.
Weitere Informationen über die Indium Corporation erhalten Sie unter www.indium.com oder per E-Mail an Jingya Huang. Sie können auch unseren Experten, From One Engineer To Another (#FOETA), unter www.linkedin.com/company/indium-corporation/ folgen .
