Indium-Verbindungen
Indiummonoiodid
Indiummonoiodid (InI) ist eine rotbraune kristalline Verbindung, die in hochmodernen optoelektronischen Anwendungen und bei der Strahlungsdetektion zum Einsatz kommt. Mit seiner stabilen Oxidationsstufe +1 und seinem halbleitenden Verhalten dient es als entscheidender Werkstoff für die Dünnschichtabscheidung, die Infrarotoptik und die Forschung an Detektoren der nächsten Generation.
Angetrieben von der Indium Corporation
- Hochreines Material der Reinheitsklassen 4N–5N mit kontrollierten Spurenmetallgehalten und vollständiger COA-Überprüfung
- Feuchtigkeitsgeschützte, inert versiegelte Behälter für maximale Lagerstabilität
- Gestützt auf das Fachwissen der Indium Corporation
Produktübersicht
Indiummonoiodid dient als wesentliche Indiumquelle bei der Materialsynthese und der Dünnschichtverarbeitung. Aufgrund seiner hohen Dichte und der großen Bandlücke wird es intensiv für den Einsatz in Röntgen- und Gammastrahlendetektoren erforscht. Die Kombination aus Reinheit, kontrollierter Stöchiometrie und struktureller Stabilität macht Indiummonoiodid ideal für optische und elektronische Anwendungen, bei denen Leistung und Reproduzierbarkeit entscheidend sind. Es wird als hochreines Indiumhalogenid-Vorprodukt für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD), die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) und die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter-Dünnschichten verwendet. Indiummonoiodid ist weltweit in Labor- und Produktionsmengen mit vollständiger analytischer Dokumentation und technischem Support erhältlich.
| Eigenschaften | |
|---|---|
| Andere Produktnamen | Indium(I)-iodid, Indium(1+)-iodid, InI |
| CAS | 13966-94-4 |
| Partikelform/Erscheinungsbild | Tiefvioletter bis rotbrauner kristalliner Feststoff |
| Molekulargewicht | 241,722 g/mol |
| Dichte | 5,32 g/cm³ |
| Schmelzpunkt | 351 – 365 °C |
| Siedepunkt | 712°C |
| Theoretischer Indium-Anteil | 47.5% |
| Kristallstruktur | Orthorhombisch |
| Reinheit | 99,99 % (4N), 99,999 % (5N) und höher |
| Hauptverwendungszwecke | Strahlungsdetektoren, IR-Optik, Halbleiter und Dünnschichttechnik |
Eigenschaften
Hohe Materialreinheit
Eignet sich für das Aufwachsen von Dünnschichten und die Herstellung defektarmer Kristalle. Es ist in Reinheitsgraden von 99,99 % (4N) und höher erhältlich.
Orthorhombische Struktur
Stabile Leistung unter trockenen, inerten Bedingungen.
Prozessfreundlich
Einsetzbar in Verfahren mit Verdampfung, CVD und Vorläuferlösungen.
Feuchtigkeitsempfindlich
Feuchtigkeitsgeregelte Verpackung zur Gewährleistung der Stabilität und Haltbarkeit.
Produktdatenblätter
Indiummonoiodid PDS 100472 R0
Verwandte Anwendungen
Indiummonoiodid steht für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen zur Verfügung.
Thermische Verdampfung und PVD-Beschichtung
Effiziente und qualitativ hochwertige Dünnschichtabscheidung erzielen.
Chemische Synthese
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Verwandte Märkte
Indiummonoiodid wird in verschiedenen Märkten eingesetzt.
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