インジウム 金属は室温でそれ自身を冷間溶接（接合）するユニークな能力を持っている。これは厳密には ハンダ付けこの特性により、低温接合用途に特に有用である。2008年 半導体パッケージのブログで、インジウム冷間溶接について触れた。.このプロセスについてより詳しく知るための他のリソースをいくつか紹介しよう：
- 公式冷間溶接アプリケーションノート
- 極低温シール用途でのインジウムの使用。
- インジウムの使用 フリップチップアプリケーション
冷間溶接は、実に厄介な接合用途に最適なソリューションです。接合方法としてインジウム冷間溶接を使用することの利点には、次のようなものがあります：
1) 瞬時に接着できる。インジウムは物理的な接触で（わずかな圧力で）くっつくため、はんだのリフローはんだ付けプロセスやエポキシ樹脂の硬化プロセスが数秒から数分かかるのとは対照的に、接着プロセスはほんの一瞬で完了します。
2）熱を必要としない。温度に敏感な部品を加熱せずに組み立てることができる。CTE（熱膨張係数）に起因する応力も問題にならないため、脆いセラミックスや高膨張率金属のような大きな異種CTE材料の接合に最適です。
3) この接合は、このプロセスに使用されるインジウムの性質により、卓越した熱伝導性と電気伝導性を持つ。
インジウム冷間溶接プロセスは、インジウムをスパッタリング、蒸着、リフロー、またはめっきすることができる材料であれば、どのような材料にも使用することができる。
古くからの疑問に対する答えである：「インジウム冷間溶接に期待される寿命と関連強度は？
冷間溶接の結合は無期限に持続し、結合強度はインジウムの固体片の273 PSIに近づく。
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