在我的上一篇文章《回流剖面的各個階段》（Stages of a Reflow Profile：第一部分中，我討論了在回流剖面的開始階段如何發生焊球飛散和焊膏坍塌。在這篇文章中，我將解釋一些發生在回流剖面第二階段的缺陷和注意事項。
在 160-180°C 左右，助焊劑將開始活化，清除氧化物，為表面和焊料的濕潤和結合做好準備。此時，也可以在剖面中加入浸泡，以減緩焊料的濕潤速度。減慢濕潤速度有助於降低整個電路板上的 ∆T（最高溫度與最低溫度元件之間的差異），使電路板上的元件彼此更同步（溫度方面）。請記住，不同的元件和板上不同的位置會有不同的吸熱和保溫方式；並非所有元件都會在同一時間達到相同的溫度。
Tombstoning 是 PCB 上溫度不均所導致缺陷的最佳範例。舉例來說，如果被動元件位於兩個焊錫層上，而其中一個焊錫層的加熱速度比另一個快，則（在浸潤期間）較熱的焊錫的不平衡浸潤會使被動元件垂直站立。因此，浸錫是有益的；但是，如果浸錫時間過長，可能會產生負面影響，例如產生空泡或過度氧化。過度浸泡也會讓助焊劑過早耗盡，導致過度氧化。過度氧化反過來又會導致一些瑕疵，例如翹曲（類似冷銲接，但實際上是氧化銲接粒子的不凝聚）和不濕（不要與去濕混淆）。另一種在不增加浸錫的情況下減緩加熱速度的方法是降低輸送帶的速度；但是，對於較大的三角洲來說，這種方法可能不如浸錫有效。
在 180°C 到峰值之間，我們可能需要快速升溫，以超越助焊劑析氣的階段。較慢的升溫速度會讓焊劑更容易排氣到焊錫中，產生較大比例的空洞。
敬請期待下一篇關於剖面的液面以上時間 (TAL) 階段的文章。
