Fiona Chen, Leiterin der Abteilung Forschung und Entwicklung bei der Indium Corporation, wird aufder ELEXCON 2018, die vom 20. bis 22. Dezember in Shenzhen, China, stattfindet, einen Vortrag halten.
Chen wird einen Vortrag zum Thema„Fluxmittel zur Unterdrückung von Non-Wet-Opens bei der BGA-Montage“halten. DerBeitrag untersucht die Fortschritte bei der Miniaturisierung und deren Auswirkungen auf die zunehmende Schwere thermischer Verformungen und die daraus resultierenden Non-Wet-Opens (NWO) bei der BGA-Montage. Chens Beitrag befasst sich mit einem „Kaltverschweißungsbarriere“-Verfahren, das zur Unterdrückung von NWO entwickelt wurde.
Chen ist Leiterin der Abteilung für Forschung und Entwicklung am Standort Suzhou der Indium Corporation. Sie ist seit 2008 im Unternehmen tätig und hat an der Entwicklung von Lötmaterialien für die SMT-Bestückung in der Elektronik gearbeitet, wobei ihr Schwerpunkt auf der Entwicklung neuer Flussmittelchemien für bleifreie Lötanwendungen lag. Darüber hinaus ist sie für die Entwicklung neuer Technologien und Produkte verantwortlich. Chen schloss 2005 ihr Bachelorstudium im Fach Chemieingenieurwesen und 2008 ihr Masterstudium im Fach Polymerchemie und -physik an der Universität Suzhou ab.
Die Indium Corporation ist ein führender Materialhersteller und -lieferant für die weltweiten Märkte für Elektronik, Halbleiter, Dünnschichten und Wärmemanagement. Zu den Produkten gehören Lote und Flussmittel, Hartlote, Materialien für thermische Schnittstellen, Sputtertargets, Metalle und anorganische Verbindungen aus Indium, Gallium, Germanium und Zinn sowie NanoFoil®. Das 1934 gegründete Unternehmen verfügt über einen weltweiten technischen Support und Fabriken in China, Malaysia, Singapur, Südkorea, dem Vereinigten Königreich und den USA.
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