indio
Indio de gran pureza
El indio de gran pureza de Indium Corporation es el material de partida de todos los sustratos semiconductores compuestos a base de indio.
Desarrollado por Indium Corporation
- Ideal para el crecimiento de cristales InP
- Material clave en los semiconductores optoelectrónicos
- Purezas mínimas a 6N5 y superiores
Visión general
Características y ventajas
El indio metálico se extrae del mineral que lo contiene y se refina en grandes volúmenes hasta obtener diversas calidades mediante las más modernas tecnologías de refinado controladas por SPC. Las rigurosas normas de calidad y la instrumentación analítica avanzada, como ICP y GDMS, garantizan una calidad constante del producto de un lote a otro.
Indio de gran pureza
El indio de gran pureza se utiliza como material de partida en la fabricación de grupos III-V basados en el indio, entre los que se incluyen:
- InGaAsP
- InP
- InAs
- InSb
- InGaAs
Estos semiconductores compuestos se utilizan en células solares fotovoltaicas de altísima eficiencia, detectores de infrarrojos, LED infrarrojos y aplicaciones de conmutación electrónica en las que no son adecuados los dispositivos basados en silicio.
También se utiliza indio de gran pureza como material de partida y se hace reaccionar con Ga, P, Sb, etc. para producir InGa, InP, InSb, etc. policristalinos. A continuación, el compuesto policristalino se transforma en un monocristal mediante técnicas de crecimiento monocristalino Czochralski o Bridgeman para producir una bola monocristalina. A continuación, la bola se corta en obleas que, posteriormente, se convierten en dispositivos semiconductores individuales.
El indio de gran pureza también se utiliza como material de partida para la estratificación epitaxial de semiconductores mediante epitaxia en fase líquida, en fase vapor o por haces moleculares.
High-purity indium is available as ingots and shot in 6N and 6N5 purity levels. Please contact us for higher impurity requirements.
Fichas técnicas de productos
Metal de indio de gran pureza PDS 98376 R4.pdf
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