铟
高純度铟
來自 Indium Corporation 的高純度铟是所有铟基化合物半導體基板的起始材料。
Powered by Indium Corporation
- 適用於 InP 晶體生長
- 光電半導體的關鍵材料
- 6N5 及更高純度的最低純度
概述
功能與優點
金屬铟從含铟礦石中提取，並利用最先進的 SPC 控制精煉技術大量精煉成各種等級的金屬铟。嚴格的品質標準和先進的分析儀器（如 ICP 和 GDMS）可確保各批次產品品質的一致性。
高純度铟
高純度铟被用作製造铟基 III-V 族的起始材料，包括：
- InGaAsP
- InP
- 砷化鎵
- InSb
- InGaAs
這些化合物半導體可應用於不適合使用矽基元件的超高效率光電太陽能電池、紅外線偵測器、紅外線 LED 以及電子開關應用。
高純度铟也可用作起始材料，並與 Ga、P、Sb 等反應生成多晶 InGa、InP、InSb 等。然後使用 Czochralski 或 Bridgeman 單晶成長技術將多晶化合物成長為單晶，製成單晶小球。然後將晶圓切成晶圓片，再製成個別的半導體裝置。
高純度铟也被用作使用液相、氣相或分子束磊晶技術進行半導體磊晶分層的源材料。
High-purity indium is available as ingots and shot in 6N and 6N5 purity levels. Please contact us for higher impurity requirements.
產品資料表
高純度金屬铟 PDS 98376 R4.pdf
相關應用程式
高純度的铟適合各種應用。
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