인듐
고순도 인듐
인디엄 코퍼레이션의 고순도 인듐은 모든 인듐 기반 화합물 반도체 기판의 출발 물질입니다.
Indium Corporation 제공
- InP 결정 성장에 이상적
- 광전자 반도체의 핵심 소재
- 6N5 이상에서 최소 순도 유지
개요
기능 및 이점
인듐 금속은 인듐 함유 광석에서 추출한 후 최첨단 SPC 제어 정제 기술을 사용하여 대량으로 다양한 등급으로 정제합니다. 엄격한 품질 표준과 ICP 및 GDMS와 같은 첨단 분석 기기를 통해 로트마다 일관된 제품 품질을 보장합니다.
고순도 인듐
고순도 인듐은 다음을 포함한 인듐 기반 그룹 III-V의 제조에 출발 물질로 사용됩니다:
- InGaAsP
- InP
- InAs
- InSb
- InGaAs
이러한 화합물 반도체는 실리콘 기반 소자가 적합하지 않은 초고효율 태양광 태양 전지, 적외선 감지기, 적외선 LED 및 전자 스위칭 애플리케이션에 사용됩니다.
고순도 인듐도 출발 물질로 사용되며 Ga, P, Sb 등과 반응하여 다결정 InGa, InP, InSb 등을 생성합니다. 그런 다음 다결정 화합물을 Czochralski 또는 Bridgeman 단결정 성장 기술을 사용하여 단결정으로 성장시켜 단결정 불을 생성합니다. 그런 다음 이 불을 웨이퍼로 슬라이스하여 개별 반도체 소자로 제작합니다.
고순도 인듐은 액상, 기상 또는 분자 빔 에피택시를 사용하는 반도체 에피택시 적층을 위한 원천 재료로도 사용됩니다.
High-purity indium is available as ingots and shot in 6N and 6N5 purity levels. Please contact us for higher impurity requirements.
제품 데이터 시트
고순도 인듐 금속 PDS 98376 R4.pdf
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