铟
高纯度铟
High-purity indium from Indium Corporation is the starting material for all indium-based compound semiconductor substrates.
由铟泰公司提供支持
- 非常适合 InP 晶体生长
- 光电半导体的关键材料
- 6N5 及更高纯度的最小值
概述
功能与优点
金属铟从含铟矿石中提取，并利用最先进的 SPC 控制精炼技术大批量精炼成各种等级的产品。严格的质量标准和先进的分析仪器（如 ICP 和 GDMS）确保了每批产品质量的一致性。
高纯度铟
高纯度铟被用作制造铟基 III-V 族的起始材料，其中包括
- InGaAsP
- InP
- 砷化镓
- InSb
- 砷化镓
这些化合物半导体可用于硅基器件不适用的超高效率光伏太阳能电池、红外探测器、红外发光二极管和电子开关应用中。
高纯度铟也可用作起始材料，与 Ga、P、Sb 等反应生成多晶 InGa、InP、InSb 等。然后，使用 Czochralski 或 Bridgeman 单晶生长技术将多晶化合物生长成单晶，生产出单晶小球。然后将晶体坯切成晶片，再将晶片制成单个半导体器件。
高纯度铟还可用作使用液相、气相或分子束外延技术进行半导体外延分层的源材料。
High-purity indium is available as ingots and shot in 6N and 6N5 purity levels. Please contact us for higher impurity requirements.
产品数据表
高纯度金属铟 PDS 98376 R4.pdf
相关应用
高纯度铟适用于各种应用。
相关市场
Indium Corporation’s high-purity indium is available for use in a wide-range of markets.
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