インジウム
高純度インジウム
インジウム・コーポレーションの高純度インジウムは、すべてのインジウム系化合物半導体基板の出発材料である。
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- InP結晶成長に最適
- 光電子半導体の主要材料
- 6N5以上の最低純度
概要
特長と利点
インジウム金属は、インジウムを含む鉱石から抽出され、最先端のSPC制御精製技術を駆使して、様々なグレードに大量精製されます。厳格な品質基準とICPやGDMSなどの高度な分析機器により、ロットごとに一貫した製品品質が保証されます。
高純度インジウム
高純度インジウムは、インジウムを主成分とするIII-V族化合物を製造する際の出発原料として使用される：
- InGaAsP
- インピー
- InAs
- インスビー
- InGaAs
これらの化合物半導体は、シリコンベースのデバイスが適さない超高効率太陽電池、赤外線検出器、赤外線LED、電子スイッチング・アプリケーションで使用されている。
高純度インジウムも出発原料として使用され、Ga、P、Sbなどと反応させて多結晶InGa、InP、InSbなどを製造する。次に、この多結晶化合物を、CzochralskiまたはBridgeman単結晶成長技術を用いて単結晶に成長させ、単結晶ブールを製造する。その後、このブールはウェハーにスライスされ、個々の半導体デバイスに加工される。
高純度インジウムは、液相、気相、分子線エピタキシーによる半導体エピタキシャル積層用の原料としても使用される。
High-purity indium is available as ingots and shot in 6N and 6N5 purity levels. Please contact us for higher impurity requirements.
製品データシート
高純度インジウム金属 PDS 98376 R4.pdf
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高純度インジウムはさまざまな用途に適している。
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