高純度インジウム

高純度インジウムは、インジウムを主成分とするIII-V族化合物を製造する際の出発原料として使用される：

• InGaAsP
• インピー
• InAs
• インスビー
• InGaAs

これらの化合物半導体は、シリコンベースのデバイスが適さない超高効率太陽電池、赤外線検出器、赤外線LED、電子スイッチング・アプリケーションで使用されている。

高純度インジウムも出発原料として使用され、Ga、P、Sbなどと反応させて多結晶InGa、InP、InSbなどを製造する。次に、この多結晶化合物を、CzochralskiまたはBridgeman単結晶成長技術を用いて単結晶に成長させ、単結晶ブールを製造する。その後、このブールはウェハーにスライスされ、個々の半導体デバイスに加工される。

高純度インジウムは、液相、気相、分子線エピタキシーによる半導体エピタキシャル積層用の原料としても使用される。

高純度インジウムは、6Nおよび6N5の純度レベルで、インゴットおよびショットとしてご用意しております。これより高い純度をご希望の場合は、弊社までお問い合わせください。