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電鍍铟_舊

有時候,我會收到這樣的問題:"使用你們的氨基磺酸鋇鍍铟液,在我的平板上沉積 20 µmof 铟需要多長時間?這個問題的答案可以讓客戶輕鬆回答。讓我告訴您如何輕鬆計算這個問題。在這篇文章中,我將推導出一個簡單易懂的關係,對任何人都適用。相信我,這很簡單;只需使用我們在高中時學習的一些基本關係。首先,您需要多少個電子才能將In3+離子還原為In原子 - 3,沒錯!

所以,那是多少費用 - 3e!

所需時間直接取決於我們要提供多少電荷來還原所有這些铟離子,以及我們能以多少時間率來提供這些電荷 - 這就是「電流」!

如果您聽過這個著名的電流-電荷關係、i= frac{q}{t}是的,這就是我所說的。

所以,回到最基本的問題、

text{Time}= frac{text{還原所有铟離子所需的電荷}}{text{電流}}{text{時 間

text{Time}=frac{text{ 減少一個铟離子所需的電荷}times text{ 減少的铟離子總數 }}{text{Current}}

text{Time}=frac{3e times text{(no. of moles to reduce}times text{Avogadro's number)}}{text{Current}}text{, 其中 e 是電子的電荷 (e=1.6}times 10^{-19}text{C)}

text{Time}=frac{ text{3e Na}times frac{text{Mass}}{text{Mol.Wt}}{text{Current}}text{,其中 Na 是阿伏加德罗数 (Na=6.022}times 10^{23}text{/mole)}

text{Time}=frac{frac{text{3e Na}}{text{Mw}}times text{ Volume}timestext{density}}}{text{Current}}text{, 其中 Mw 是分子量 (Mw=114.82 g/mole)

text{Time}=frac{frac{text{3e Na } rho}{text{Mw}}times text{ Surface area}timesext{thickness}}{text{Current}}text{, 其中 } rho text{ 是铟的密度 (} rho text{=7.31 g/cm}^{3})

text{時間}=frac{frac{text{3e Na } rho}{text{Mw}}times text{厚度}}{frac{text{Current}}{text{Surface Area}}}text{, 其中厚度 = 20}mu text{m = 0.0020 cm}

text{Time}=frac{text{3e Na } rho}{text{Mw j}}times text{thickness}text{, 其中 j 是假定的電流密度 (j = 20 {mA/cm}}^{2} text{= 0.020 A/cm}^{2})

如果陰極(電沉積铟的地方)不是 100%效率,則需要較長的時間。比方說,σ 是效率。那麼需要 frac{1}{sigma}倍的時間。例如,如果是 50%高效率,這將需要、 frac{1}{0.5}=2倍的時間。因此,將效率計算在內,時間等式就變成了:

text{Time}=frac{text{3e Na } rho}{sigmatext{ Mw j}}times text{thickness}text{, 其中 }sigma text{ 是假定的陰極效率 (}sigma text{ = 0.9)}

時間將所有這些值插入上面的等式中,您會得到:

text{Time}=frac{text{3e Na } rho}{sigmatext{ Mw j}}times text{thickness = 2045 seconds}approx text{34 minutes}

好的,所以答案是,預估存款時間 20 mubf m是 34 分鐘,您知道哪些因素可以改變這一點。

而這裡有一個簡單的公式,可以用最廣泛使用的厚度和電流密度單位,以分鐘計算時間;

text{Time (minutes)}=30.676 times frac{text{thickness (} mu bf m)}{sigmatext{ j (mA/cm}^{2})}

好吧,何不撥打這個電話 30.676「Shital的Inplate常數」!酷

Indium Corporation 的硫酸铟浴的陰極效率高達 90%。更高的效率意味著更短的時間!典型的工作電流密度約為 text{10-20 mA/cm}^2但可增加至 text{100 mA/cm}^2將浴槽溫度維持在 text{20 - 25}^otext{C}.將電流密度從 text{20 {mA/cm}}^2text{100 {mA/cm}}^2可將沉積時間縮短 5 倍,即相同的 20 mu bf m現在會在 7 分鐘內存入。

現今鍍铟的廣泛使用可追溯至 1930 年代,當時Indium Corporation的創辦人首次開發出商用鍍铟槽。半導體技術和倒裝晶片接合的最新發展利用铟來建立晶圓層間的互連。铟被电镀到晶片基板上,形成高密度、低间距和高纵横比的铟凸点。铟的柔软性、延展性和润湿性确保了两个表面之间牢固可靠的连接,即使它们不是完全平整或对齐。此外,铟即使在接近零度的温度下也表现出稳定性,因此非常适合用于在极端环境中工作的半导体应用,例如在太空中遇到的环境。

如果您想進行小規模的電鍍專案,包括使用鍍铟層來修復和維修古董金屬物品,您可以從像這裡提供的健康易用的電鍍套件開始。

請參閱下列文件,以瞭解更多關於铟電鍍、硫酸铟浴和铟凸點電鍍的資訊。

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