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用於 EUV 光刻技術的高純度錫

Indium Corporation 目前正在生產純度極高的錫 - 請參閱此處:https://www.indium.com/products/metals/tin/ - 我很樂意解釋我們投資這項技術的原因:

每一代新的矽晶片都需要它的「普羅米修斯」——這項關鍵技術能提供將微細結構蝕刻到晶圓上所需的較短波長光線。 這套流程已沿用數十年,被稱為光刻技術:產生大量光子並塑形成足夠明亮的光束,製作光學元件將光束導向定義微結構的掩模,將形成的影像投射到塗有光阻的晶圓上,將圖案蝕刻到晶圓中,最後去除殘餘的光阻,以便進行晶圓廠的下一道工序——這絕非聽起來那樣簡單。

波長縮短正是這個過程的核心所在,而我們都知道半導體產業已多次成功實現這一點,因為我們都聽過摩爾定律。

那麼,究竟該如何產生 一道亮度顯著、波長約為 13.5 奈米的光束——這正是 5 奈米與 3 奈米製程所必需的?直到最近,答案還只能是:「很簡單——使用同步輻射儀即可」。這類粒子加速器在全球各地皆有設置。 劇透警告:全球僅有 60 座,而且只有政府資助的研究機構才有能力建造、配置人員並運作它們。

下一個可能的答案或許是——「嗯……肯定可以使用某種雷射吧」。問題在於,這種波長的雷射價格也頗為昂貴。13.5 奈米屬於「軟」X 射線的波長範圍。雖然有這類雷射可用,但仍無法滿足所需。

接著來談談等離子體:取某種元素,使其電離,便會形成一種等離子體,該等離子體會發出特定頻率的光,而這種頻率是該元素所獨有的。如果你曾經透過窗戶觀察過正在運作的濺鍍室,你應該見過氬氣等離子體發出的紫色光暈(見下圖)。

氬氣等離子體

這終於讓我們回到了錫這個主題:錫等離子體發出的光,其發射光譜在 13.5 奈米左右具有所需的峰值。而且,至關重要的是,錫等離子體具備高轉換效率,因此能夠達到所需的高亮度。

另一項好消息是,錫在當今世界有極廣泛的應用。光是電子產業,大多數的焊料合金中就都含有錫;在銦公司(Indium Corporation),我們長期以來一直從事與錫相關的工作。

我們也花了數年時間精煉錫,並將其純度從現有標準等級(4N,即 99.99%)提升至 5N,甚至進一步提升至 6N,以達到這項新應用所需的純度水準。Indium Corporation 已準備好支援這項令人振奮的新應用,它將在未來許多年裡,為延續摩爾定律的持續發展發揮關鍵作用。