Indium Corporation將於 7 月 10-12 日在英國劍橋舉行的IMAPS High Temperature Electronics Network 2017 (HiTEN 2017) 上展出其半導體級金锗焊料預製件。
半導體級預型件的設計是為了因應 RF 和功率半導體裝置持續變小所面臨的挑戰。
Indium Corporation 的高熔點 AuGe 焊料預型件在功率密度增加的小型裸片的高工作溫度下表現良好。此外，濕潤度的改善使半導體級 AuGe 焊料預型件成為減少空隙的關鍵。
金基焊料的熔點範圍為 280-1064°C，因此與後續的回流焊製程相容。此外，金基焊料還具有耐腐蝕性、優異的耐熱疲勞性以及出色的接合強度。
Indium Corporation 的無鉛和符合 RoHS 標準的預型件提供各種標準和客製化設計。如需更多關於 Indium Corporation 金合金焊料預型件的資訊，請造訪www.indium.com/brazealloys。
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