用于大功率半导体器件封装的材料通常根据其热膨胀系数（CTE）来选择。例如，选择AlSiC、钼和钨等基板，是为了使其热膨胀系数（CTE）值与将被连接的材料相匹配，这样在材料膨胀和收缩时，基板也能同步膨胀或收缩，从而最大限度地减少这些区域之间界面处的机械应力，即热膨胀系数（CTE）不适配 。
尽管铟的热膨胀系数（CTE）与许多材料不匹配，但它仍常被选作基板之间的焊料热界面材料，即使基板材质差异很大，例如硅和铜（属性 ）。
铟是如何将热膨胀系数（CTE）为 2.6 PPM/ºC 的硅与热膨胀系数约为 17 PPM/ºC 的铜结合在一起的？这种结合在经历多年的热循环和功率循环后，为何热性能仍未出现退化？
答案在于铟的强度和可塑性。铟是空气中最为稳定的软金属。尽管铟的热膨胀系数（CTE）为29 PPM/ºC，但其抗压强度（拉伸强度 ）为273 PSI，这表明它非常柔软；而其抗弯强度（剪切强度 ）则高达890 PSI，显著高于前者。在应用 中，铟被焊接到背面金属化的芯片 和铜制集成散热片上，此时会产生显著的热膨胀系数（CTE）不适配 。
然而，假设这些焊点 的界面完好且空隙极少，那么随着基板的收缩，铟体将随之弯曲和伸展，从而不会开裂。
