熱介面材料
GalliTHERM®系列
身為金屬基熱介面材料的全球領導者，Indium Corporation 擁有數十年的專業技術，是值得信賴的鎵基材料供應商。在我們受控的生產流程中，每個步驟都建立了高品質和批次間的一致性，我們確保性能可靠，尤其是鎵基合金需要小心處理為第 8 級（腐蝕性）材料。憑藉我們廣泛的專業知識，我們可確保包裝和運輸過程安全、合規，無論是空運、公路、鐵路或海運，均符合所有法規標準，並可安全運送到您的廠房。
Powered by Indium Corporation
- 高導熱性
- 低界面阻抗
- 出色的濕潤性
GalliTHERM®的類型
我們有三種鎵基材料：
液態金屬
或在室溫下呈液態的合金
相變金屬合金
在室溫下呈固態
液態金屬漿料
適用於高粘度鎵基材料
液態金屬
這些是在室溫下保持液態的純金屬或金屬合金，熔點範圍從 7.6°C 到 17°C。這些合金的主要元素是鎵，通常與其他元素結合，例如铟 (In)、錫 (Sn) 或鋅 (Zn)。Indium Corporation 的所有液態金屬均符合 RoHS 標準、無毒，並遵守全球運送要求，可安全運送至世界各地。
相變金屬合金
鎵預型件
鎵是一種柔軟的銀白色金屬，熔點低至約 29.76°C。因此，將鎵製成預成型品是極具挑戰性的。Indium Corporation 擁有專利製程，可生產各種形狀和尺寸的純镓和镓合金預型件，厚度可低至 50 μm。
液態金屬 (LM) 瓶胚
Indalloy®300E (Ga78.6/In21.4) is a eutectic gallium-indium liquid metal alloy known for its high thermal conductivity—the highest of any liquid metal. Adding more indium increases thermal conductivity, but the alloy remains liquid or pasty until the ratio reaches In97/Ga3, at which point it solidifies near indium’s melting point (156.6°C). To assemble, start by placing indium preforms on the heat source, ensuring the entire surface is covered. Next, place gallium preforms on top, ensuring they do not need to cover the entire indium surface.
液態金屬漿料
液態金屬漿料 (LMP) 是新一代液態金屬基熱漿料，專為 HPC 半導體應用 (包括 CPU、GPU 和 MCM) 的進階熱管理而設計。它與標準的基於鎵的液態金屬類似。透過專利製程與特定添加劑，可改變黏度以形成均質的可丟棄/可拋棄散熱膏，適用於大容量應用。
特點
液態金屬領導者提供穩定的鎵金屬供應，確保您的材料可用性。
Indium Corporation 製造和供應以鎵為基礎的液態金屬已有 60 多年的歷史，在美國和亞洲均可進行小批量和大批量生產。
熔點為 29.76°C
當鎵與铟，錫或鋅等金屬結合時，會形成在室溫下保持液態的合金。
無毒合金
鎵基液態金屬不會蒸發，也無法吸入。
極富侵略性
鎵基液態金屬不應與任何鋁製零件接觸。
多樣化的應用
這包括熱介面材料 (TIMS)、可伸縮與可穿戴電子產品、軟機械人、可穿戴醫療裝置以及無汞溫度計。
GalliTHERM®產品
有幾種鎵基合金在室溫下呈液態。請參閱下圖探索其中三種最普遍的合金。
| Indalloy®編號 | 組成 | 何時選擇 | 建議操作溫度 (°C) | Liquidus (°C) | 固體 (°C) | 熱傳導率 (W/mK) | 電阻率 (µΩ-cm) | 比重 (g/cm³) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 51E | Ga66.5/In20.5/Sn13 | 熔點較低的共晶合金，最適合用於點膠與印刷應用 | -50-200°C | 11 | 11 | 37 | 28.9 (1) | 6.32 |
| 300E | Ga78.6/In21.4 | 熱傳導率最高，最適合噴射應用 | -50-200°C | 15.7 | 15.7 | 44 | 27* | 6.16 |
| 306 (AKA) | Ga68.5/In21.5/Sn10 | 廣泛應用於高階遊戲平台 | -50-200°C | 19 | 10 | 35* | 29* | 6.31* |
| 60 | Ga75.5/In24.5 | Non-eutectic gallium indium alloy | -50-200°C | 23 | 15.7 | 20* | 26.8 | 6.35 |
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