時々、"貴社のインジウムスルファミン酸浴を使用して、20μmofのインジウムをプレート上に析出させるのにどのくらい時間がかかりますか？"というような質問を受ける。この質問に対する答えは、お客様にとって非常に簡単なものです。この投稿では、誰にでも通用するシンプルで簡単な関係を導き出します。高校で勉強した基本的な関係を使うだけだ。それは、In3+イオンをIn原子に還元するのに必要な電子の数から始まる！
それで、チャージはいくらなんだ？
その時間は、インジウムイオンを減らすためにどれだけの電荷を供給しなければならないか、そしてそれをどの程度の時間率で供給できるか、つまり「電流」に直接依存する！
この有名な電流と充電の関係をご存知だろうか、
そう、そういうことだ。
そこで基本に戻る、
もしカソード（インジウムが電着される部分）が 効率的であれば、もう少し時間がかかる。仮にσを効率としよう。そうすると 倍長くなる。例えば 効率的だ、 倍長くなる。つまり、効率を考慮すると、時間の方程式はこうなる：
上の式にこれらの値をすべて差し込むと、こうなる：
わかりました、では答えは、入金までの予想時間です。 この時間は34分である。
そして、最も広く使われている厚みと電流密度の単位について、分単位で時間を計算する簡単な式がここにある；
じゃあ、この番号に電話してみようか 「シタルのインプレート定数」！
インジウム・コーポレーションのスルファミン酸インジウム浴のカソード効率は90％です。効率が高いということは、時間が短いということである！一般的な電流密度は まで増やすことができる。 に維持する。 .電流密度を への 成膜時間を5分の1に短縮できる。 は7分で入金されるようになった。
今日のインジウムめっきの広範な使用は、1930年代にインジウム・ コーポレーションの創設者が初めて商業的なインジウムめっき浴を開発したときにさかのぼる。最近の半導体技術やフリップチップボンディングの発展では、ウェハーの層間の相互接続にインジウムが利用されています。高密度、低ピッチ、高アスペクト比のインジウムバンプを形成するために、インジウムはウェハー基板に電気めっきされる。インジウムの柔らかさ、延性、濡れ性は、たとえ2つの表面が完全に平らでなくても、あるいは整列していなくても、2つの表面間の強固で信頼性の高い接続を保証します。さらに、インジウムはゼロに近い温度でも安定性を示すため、宇宙空間のような過酷な環境で使用される半導体アプリケーションに非常に適しています。
インジウム・コーティングを施したアンティーク金属製品の修復や修理など、小規模な電気メッキ・プロジェクトを考えているのなら、ここで提供されているような、健全で使いやすい電気メッキ・キットから始めることができる。
インジウム電気めっき、スルファミン酸インジウム浴、インジウムバンプ電気めっきについては、以下の資料をご参照ください。
- スルファミン酸インジウムめっき浴による結晶粒構造の微細化
- パルスめっきを用いたウェハーのインジウムバンプ電解めっき
- メッキ、インジウムを塗布する代替方法
- インジウムめっきの適切な表面処理
- スルファミン酸インジウムめっき浴を用いた試作めっき
- スルファミン酸インジウムめっき浴液の再生・廃棄について
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