インジウム・バンプやその他の微細な特徴をウェハーやその他の基板にめっきすることに多くの関心が寄せられている。そして、望まれるバンプのサイズとピッチはますます小さくなっている。ここで知っておくべきことがある。
正確な位置に選択的にインジウムをめっきする場合、通常、ワークピースの表面はマスクされる（インジウムを基板にめっきする位置にマスクの穴）。得られるインジウムバンプの所望のサイズは非常に小さいため、マスクの穴も同様に非常に小さい。
スルファミン酸インジウムめっき液は水性化学薬品であるため、自然に発生する表面張力によって、浸透する穴の大きさが制限される。もちろん、浸透しない場合は、ワークピース上の所望の位置にめっき液がほとんど接触しないか、全く接触しない。このような場合、インジウムをめっきする能力は、完全に妨げられないまでも、著しく損なわれる。
このホワイトペーパーでは、マスクの穴に溶液を浸透させ、ワークの表面を濡らすために超音波エネルギーを使用する新しい技術について説明する。もちろん、この技法は、オリフィスや小さな開口部に溶液を浸透させる必要があるあらゆるワークのめっきに使用できる。
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